时间：2025/5/24 14:59:49
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IPZ40N04S58R4ATMA1是一款来自Infineon（英飞凌）的MOSFET功率晶体管，采用TO-263-3封装形式。该器件适用于高效能开关应用，例如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理等领域。其低导通电阻特性能够显著降低传导损耗，提升整体系统效率。
该MOSFET属于OptiMOS系列，具有出色的热性能和耐用性，使其成为高可靠性需求场景的理想选择。此外，101认证，适合汽车级应用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：49A
导通电阻：3.6mΩ
栅极电荷：138nC
开关速度：快速
封装形式：TO-263-3
IPZ40N04S58R4ATMA1采用了先进的制程技术以实现超低导通电阻，这有助于减少在大电流应用中的功耗。
该器件的栅极电荷较低，从而提升了开关效率并减少了开关损耗。
其优化的热阻确保在高功率密度环境下具备卓越的散热能力。
此外，该MOSFET支持较宽的工作温度范围（-55°C至175°C），满足苛刻工作环境下的稳定性要求。
内置雪崩能量保护功能，提高了器件在异常情况下的鲁棒性。
IPZ40N04S58R4ATMA1广泛应用于各类高效能功率转换场景中，包括但不限于：
1. 汽车电子领域中的电机驱动与电源管理系统。
2. 工业自动化设备中的DC-DC转换器。
3. 通信设备中的负载切换和电源调节。
4. 家用电器中的功率控制模块。
由于其出色的电气特性和可靠性，该MOSFET特别适合需要高频开关和低损耗的应用场合。
IPB040N04L-02
IPP040N04L
IRF3710TRPBF
