IPZ40N04S58R4ATMA1是一款来自Infineon(英飞凌)的MOSFET功率晶体管,采用TO-263-3封装形式。该器件适用于高效能开关应用,例如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理等领域。其低导通电阻特性能够显著降低传导损耗,提升整体系统效率。
该MOSFET属于OptiMOS系列,具有出色的热性能和耐用性,使其成为高可靠性需求场景的理想选择。此外,101认证,适合汽车级应用。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:49A
导通电阻:3.6mΩ
栅极电荷:138nC
开关速度:快速
封装形式:TO-263-3
IPZ40N04S58R4ATMA1采用了先进的制程技术以实现超低导通电阻,这有助于减少在大电流应用中的功耗。
该器件的栅极电荷较低,从而提升了开关效率并减少了开关损耗。
其优化的热阻确保在高功率密度环境下具备卓越的散热能力。
此外,该MOSFET支持较宽的工作温度范围(-55°C至175°C),满足苛刻工作环境下的稳定性要求。
内置雪崩能量保护功能,提高了器件在异常情况下的鲁棒性。
IPZ40N04S58R4ATMA1广泛应用于各类高效能功率转换场景中,包括但不限于:
1. 汽车电子领域中的电机驱动与电源管理系统。
2. 工业自动化设备中的DC-DC转换器。
3. 通信设备中的负载切换和电源调节。
4. 家用电器中的功率控制模块。
由于其出色的电气特性和可靠性,该MOSFET特别适合需要高频开关和低损耗的应用场合。
IPB040N04L-02
IPP040N04L
IRF3710TRPBF