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IPZ40N04S58R4ATMA1 发布时间 时间:2025/5/24 14:59:49 查看 阅读:14

IPZ40N04S58R4ATMA1是一款来自Infineon(英飞凌)的MOSFET功率晶体管,采用TO-263-3封装形式。该器件适用于高效能开关应用,例如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理等领域。其低导通电阻特性能够显著降低传导损耗,提升整体系统效率。
  该MOSFET属于OptiMOS系列,具有出色的热性能和耐用性,使其成为高可靠性需求场景的理想选择。此外,101认证,适合汽车级应用。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻:3.6mΩ
  栅极电荷:138nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-263-3

特性

IPZ40N04S58R4ATMA1采用了先进的制程技术以实现超低导通电阻,这有助于减少在大电流应用中的功耗。
  该器件的栅极电荷较低,从而提升了开关效率并减少了开关损耗。
  其优化的热阻确保在高功率密度环境下具备卓越的散热能力。
  此外,该MOSFET支持较宽的工作温度范围(-55°C至175°C),满足苛刻工作环境下的稳定性要求。
  内置雪崩能量保护功能,提高了器件在异常情况下的鲁棒性。

应用

IPZ40N04S58R4ATMA1广泛应用于各类高效能功率转换场景中,包括但不限于:
  1. 汽车电子领域中的电机驱动与电源管理系统。
  2. 工业自动化设备中的DC-DC转换器。
  3. 通信设备中的负载切换和电源调节。
  4. 家用电器中的功率控制模块。
  由于其出色的电气特性和可靠性,该MOSFET特别适合需要高频开关和低损耗的应用场合。

替代型号

IPB040N04L-02
  IPP040N04L
  IRF3710TRPBF

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IPZ40N04S58R4ATMA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥7.55000剪切带(CT)5,000 : ¥2.72259卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?-5
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)7V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.4 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.4V @ 10μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)771 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)34W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TSDSON-8-32
  • 封装/外壳8-PowerTDFN