BI25-12P 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),主要用于高功率开关应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。BI25-12P具有较高的电流承载能力和较低的导通损耗,广泛应用于工业电机控制、电源转换、电动汽车充电系统等领域。
类型:IGBT
最大集电极-发射极电压:1200V
最大集电极电流:25A
导通压降:2.1V(典型值)
短路耐受能力:5μs
工作温度范围:-40°C至+150°C
封装类型:TO-247
栅极驱动电压:±20V
BI25-12P IGBT采用了先进的沟道栅技术和场截止结构,以实现更低的导通压降和更快的开关速度。其最大集电极-发射极电压为1200V,能够承受较高的电压应力,适用于中高功率应用。该器件的最大集电极电流为25A,在适当的散热条件下可以实现连续工作。导通压降的典型值为2.1V,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,BI25-12P具备一定的短路耐受能力,能够在5μs内承受短路电流,增强了系统的可靠性和稳定性。其工作温度范围为-40°C至+150°C,适用于各种严苛的工业环境。
BI25-12P采用TO-247封装,具有良好的热管理和电气隔离性能,便于安装和散热设计。栅极驱动电压范围为±20V,兼容多种常见的IGBT驱动电路。该器件还具有较低的关断损耗,适合用于高频开关应用,如变频器、UPS(不间断电源)、电焊机和太阳能逆变器等。通过优化设计,BI25-12P能够在高效率和高可靠性之间取得良好平衡,是工业和能源领域中理想的功率开关器件。
BI25-12P广泛应用于各类电力电子系统中,包括工业电机驱动、变频器、不间断电源(UPS)、电焊机、太阳能逆变器、电动汽车充电系统等。在电机控制应用中,该IGBT可用于实现高效的PWM控制,提高系统的能效;在UPS系统中,BI25-12P可作为主逆变器开关,实现交流输出的稳定与高效;在太阳能逆变器中,该器件可用于将光伏板产生的直流电转换为交流电并网使用;在电动汽车充电设备中,BI25-12P可用于实现高效的AC-DC或DC-DC转换。由于其良好的热稳定性和电气性能,该IGBT也适用于需要长时间运行和高可靠性的工业自动化控制系统。
FGA25N120ANTD, IRGP4063PBF, IKW25N120H3