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IRF150P221AKMA1 发布时间 时间:2025/5/8 13:11:36 查看 阅读:5

IRF150P221AKMA1是一款由Vishay公司生产的功率MOSFET器件,属于TrenchFET Gen III系列。该器件采用了先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻和高效率的特性,适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。其封装形式为PowerPAK SO-8,具备良好的散热性能和紧凑的尺寸设计。
  该型号的MOSFET在工作时表现出优异的动态性能和较低的开关损耗,同时支持高频操作,非常适合现代电子设备对高效能和小型化的要求。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:30A
  导通电阻(典型值):2.2mΩ
  栅极电荷(典型值):69nC
  总电容(输入电容):1420pF
  功耗:72W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

IRF150P221AKMA1的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为2.2mΩ(典型值),这有助于降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 高额定电流能力,可承受高达30A的连续漏极电流。
  3. 小巧的PowerPAK SO-8封装,能够实现更高的功率密度,同时提供优秀的热性能。
  4. 宽泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),使其能够在极端环境下稳定运行。
  5. 快速开关特性,减少了开关损耗,适合高频应用环境。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计,满足现代电子产品对环保的要求。

应用

IRF150P221AKMA1广泛应用于各种需要高效功率转换的场景,具体应用包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中作为主功率管使用。
  3. 电机驱动电路中的逆变桥臂或斩波控制。
  4. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能。
  6. 可再生能源系统(如太阳能微逆变器)中的功率处理组件。

替代型号

IRF150P220AKMA1, IRF150P222AKMA1

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IRF150P221AKMA1参数

  • 现有数量283现货
  • 价格1 : ¥62.80000管件
  • 系列StrongIRFET?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)186A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.5 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.6V @ 264μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)100 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)6000 pF @ 75 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.8W(Ta),341W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装PG-TO247-3
  • 封装/外壳TO-247-3