时间：2025/8/1 15:26:38
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CS2N60FB9D 是一款由Central Semiconductor公司制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高效率电源管理应用。该器件具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高效能MOSFET的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：2A
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：约3.5Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（PD）：50W
CS2N60FB9D 具备多项优良特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，该MOSFET具有较高的漏源击穿电压（600V），能够在高压环境下稳定工作，适用于多种电源转换拓扑结构。其次，其导通电阻较低（典型值为3.5Ω），有助于降低导通损耗，提高整体效率。
此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），提高了设计的灵活性，并能够在不同的控制电路中稳定运行。CS2N60FB9D采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种严苛的环境条件。
CS2N60FB9D 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明系统、电池管理系统以及各类工业控制设备。由于其高耐压和低导通电阻的特性，特别适用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统。
STP2NK60ZFP, FQA2N60C, IRFBC20, 2SK2141
