时间：2025/5/10 18:07:47
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TF15N06是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。其主要特点是低导通电阻和高开关速度，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。此外，TF15N06具有良好的热稳定性和可靠性，适合在多种工作环境下使用。
该型号的额定电压为60V，能够满足大部分低压应用的需求。同时，由于其出色的电气性能和经济性，TF15N06成为了许多工程师在设计中的首选。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：15A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：180W
结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
1. 额定漏极电流高达15A，适用于大电流场景。
2. 极低的导通电阻（40mΩ），有助于减少传导损耗。
3. 快速开关能力，可有效降低开关损耗。
4. 具备出色的雪崩击穿能力和抗静电性能，确保长期可靠运行。
5. 封装采用标准TO-220，易于安装和散热设计。
6. 支持宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
7. 符合RoHS环保标准，满足绿色制造需求。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流器。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 负载开关和保护电路。
5. 照明系统中的LED驱动器。
6. 各类消费类电子产品的电源管理模块。
7. 工业自动化设备中的控制与驱动单元。
IRFZ44N
STP15NF06
FDP15N06L
AO15N06
