时间：2025/6/24 1:31:45
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TFM-135-02-F-D是一款高性能的薄膜混合电阻网络芯片，广泛应用于精密电子电路中的电压分配、信号调理和参考电压生成等场景。该器件采用薄膜技术制造，具备高精度、低温度系数和优异的长期稳定性，能够满足工业级和商业级应用需求。
该芯片由多个精密电阻组成，通过内部连接形成特定的电阻网络结构。其设计注重小型化与集成化，适合需要节省空间的应用环境。
型号：TFM-135-02-F-D
电阻网络配置：4个电阻
标称阻值：10kΩ, 20kΩ, 30kΩ, 40kΩ
阻值容差：±0.1%
温度系数：±5ppm/°C
工作电压：32V
功率耗散：125mW
封装形式：SIP-5
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
ESD防护等级：2kV HBM
TFM-135-02-F-D的核心优势在于其薄膜工艺带来的卓越性能表现。首先，它具有极高的阻值精度（±0.1%），能够显著减少因阻值偏差导致的系统误差。其次，该器件的温度系数仅为±5ppm/°C，确保在宽温范围内提供稳定的电阻性能。此外，其长期漂移非常小，适合对可靠性要求较高的应用场景。
同时，TFM-135-02-F-D采用了SIP-5封装形式，既保证了良好的电气性能，又实现了紧凑的设计，非常适合现代电子设备对小型化的需求。此外，该芯片还支持高达32V的工作电压，并具备125mW的功率耗散能力，使其能够在多种复杂电路环境中稳定运行。
TFM-135-02-F-D适用于广泛的电子应用领域，主要包括以下几类：
1. 工业控制设备中的电压分压和信号调理电路。
2. 数据采集系统中的参考电压生成模块。
3. 高精度测量仪器的前端接口电路。
4. 医疗电子设备中的信号调节部分。
5. 汽车电子系统中的传感器信号处理环节。
由于其出色的稳定性和可靠性，该芯片特别适合那些对环境适应性有较高要求的场合，例如极端温度条件下的工业现场或车载应用。
TFM-135-02-G-D
TFM-135-02-F-E
TFM-135-02-H-D
