LD025A100DAB2A 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,能够提供低导通电阻和快速开关性能,适用于多种电源管理场景,如 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等。其出色的电气特性使其在高频开关应用中表现优异,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
类型:MOSFET
极性:N沟道
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):25A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
总功耗(Ptot):160W
工作温度范围(Topr):-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
LD025A100DAB2A 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),可降低传导损耗,提升系统效率。
2. 快速的开关速度,支持高频操作,减少开关损耗。
3. 高耐压能力,最大漏源电压达 100V,适合高压环境下的应用。
4. 强大的电流承载能力,连续漏极电流高达 25A,满足大功率需求。
5. 宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应极端环境条件。
6. 良好的热性能和高可靠性,确保长时间稳定运行。
7. 封装形式为 TO-247,便于散热和安装。
LD025A100DAB2A 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,用于提高转换效率。
2. 电机驱动电路,实现高效的功率控制。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电动汽车充电系统。
5. 大功率 LED 驱动器,提供稳定的电流输出。
6. 各种需要高效率和高可靠性的电力电子设备。
IRFZ44N, STP30NF10L, FQP27P06