时间：2025/8/14 2:45:07
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LMBD6100LT1G是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），广泛用于电源管理和高频应用。该器件采用小型SOD-123封装，适用于需要快速开关和低正向压降的场合。
最大重复峰值反向电压：100V
最大正向平均电流：200mA
正向压降（@100mA）：0.35V（典型值）
反向漏电流（@100V）：100nA（最大值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOD-123
LMBD6100LT1G具有低正向压降和快速恢复时间，非常适合用于高效率的电源转换电路。其肖特基二极管结构减少了开关损耗，并提高了高频性能。此外，该器件的SOD-123封装提供了良好的散热性能和紧凑的PCB布局优势。
该二极管在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于各种工业控制、消费电子和汽车电子应用。LMBD6100LT1G还具有优良的可靠性和长期稳定性，符合RoHS环保标准，适合无铅焊接工艺。
LMBD6100LT1G广泛应用于DC-DC转换器、电池充电器、负载开关、电源管理模块、便携式电子产品以及汽车电子系统中的整流和隔离电路。其高频特性也使其适用于射频（RF）和通信设备中的检波和混频电路。
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"MBD6100LT1G",
"RB751V100",
"1N5819W-T"
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