时间：2025/4/29 10:42:57
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CRJT190N65GCF是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用先进的制造工艺设计，具备低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于需要高效能量转换的应用场景，如开关电源、电机驱动、逆变器等。它属于N沟道增强型MOSFET，耐压高达650V，能够满足多种高压电路的需求。
该型号中的“CRJT”代表了系列名称，“190”表示最大导通电阻值（在特定条件下的典型值），“N65”表明其为N沟道且额定电压为650V，“GCF”则与封装类型和内部结构相关。
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：28A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：190mΩ
总栅极电荷：75nC
输入电容：1200pF
反向恢复时间：35ns
结温范围：-55℃至+175℃
1. 高击穿电压（650V），适合高压应用场景。
2. 超低导通电阻（Rds(on)仅为190mΩ），显著降低传导损耗。
3. 快速开关性能，优化了动态损耗。
4. 内置雪崩能力，增强了器件的鲁棒性。
5. 采用TO-247封装，具有良好的散热性能。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
7. 广泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 工业电机驱动中的逆变器桥臂。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 不间断电源（UPS）系统。
5. LED照明驱动电路。
6. 各种AC/DC和DC/DC转换器。
7. 电动工具和其他便携式设备的功率控制单元。
IRFP260N
STW118N65MD
FDP18N65
IXFN120N65T
CSSP100N65S3
