型号：UPA1A222MHD3
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：8.4A
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：27mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：500pF @ VDS=10V
　　总栅极电荷（Qg）：8nC @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：2W（TA=25°C），6.5W（TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：HVSOF-5

UPA1A222MHD3采用了罗姆专有的沟槽型MOSFET工艺，这种结构能够有效降低单位面积下的导通电阻，从而提升器件的整体效率并减少能量损耗。其低RDS(on)特性使得在大电流应用中发热显著降低，有助于提高系统的热稳定性和长期运行可靠性。该MOSFET在VGS=4.5V时仍能实现较低的导通电阻（27mΩ），说明其具备良好的逻辑电平驱动兼容性，可直接由3.3V或5V输出的控制器驱动，无需额外的栅极驱动芯片，简化了外围电路设计并降低了整体成本。器件的输入电容和反向传输电容较小，意味着其开关速度较快，动态响应能力强，非常适合高频开关应用如同步整流型DC-DC变换器。此外，UPA1A222MHD3内置的体二极管具有较低的反向恢复时间，进一步减少了开关过程中的能量损失，提升了电源转换效率。
　　该器件采用HVSOF-5封装，不仅体积小巧，还具备优良的散热能力。封装底部设有暴露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层，实现高效散热。这种设计特别适用于空间受限但功率密度要求较高的应用场景，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品。同时，该封装符合RoHS环保标准，并支持无铅回流焊接工艺，便于自动化生产。
　　UPA1A222MHD3通过了AEC-Q101车规认证，表明其在高温高湿、温度冲击、振动等恶劣环境下仍能保持稳定的性能表现，适合用于汽车电子系统中。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够在极端环境条件下可靠运行，增强了系统的环境适应能力。此外，该MOSFET具有较高的dv/dt抗扰能力，能有效防止因电压突变引起的误触发问题，提升了系统在复杂电磁环境下的稳定性。综合来看，UPA1A222MHD3凭借其优异的电气特性、紧凑的封装形式和高可靠性，成为中小功率电源管理应用中的优选器件。

UPA1A222MHD3广泛应用于多种电源管理场景，尤其是在需要高效、小型化设计的电子设备中表现出色。典型应用包括同步降压型DC-DC转换器，作为上下桥臂开关使用，能够有效提升转换效率并减少发热；在负载开关电路中，该器件可用于控制电源路径的通断，实现快速开启与关断，配合软启动功能可抑制浪涌电流，保护后级电路。此外，它也被广泛用于电池供电系统中，如移动电源、笔记本电脑、手持终端等设备的电源管理单元，用于电池充放电控制或多电源切换管理。
　　在便携式消费类电子产品中，UPA1A222MHD3常被用作背光驱动、摄像头模块供电控制或USB接口的限流开关，其低导通电阻和快速响应能力确保了电源控制的精确性和稳定性。由于通过了AEC-Q101认证，该器件同样适用于汽车电子领域，例如车载导航系统、仪表盘显示驱动、车内照明控制以及各类传感器模块的电源开关。在工业控制和物联网设备中，UPA1A222MHD3可用于电机驱动、继电器替代或远程控制单元中的低边开关，实现固态开关替代传统机械触点，提高系统寿命和可靠性。
　　此外，得益于其良好的热性能和小型封装，该MOSFET非常适合用于高密度PCB布局的设计，尤其适合采用自动化贴片工艺的大规模生产。无论是消费电子、工业控制还是汽车电子，UPA1A222MHD3都能提供稳定可靠的功率开关解决方案，满足多样化应用需求。

SiSS062DN-T1-GE3
　　AOZ5231EQI-01