时间：2025/4/28 12:38:04
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IPW65R048CFDA是英飞凌（Infineon）推出的功率MOSFET，采用TO-263-3封装形式。该器件属于P沟道增强型MOSFET，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。其出色的导通电阻和低栅极电荷特性，使其在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压：65V
最大连续漏电流：19A
导通电阻：48mΩ
栅源电压：±20V
总功耗：170W
工作温度范围：-55℃至175℃
IPW65R048CFDA具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提高效率。
2. 高击穿电压，确保在高压环境下的可靠运行。
3. 超低的栅极电荷和输出电荷，支持高频开关应用。
4. 符合RoHS标准，环保且无卤素。
5. 提供出色的热性能，能够适应高功率密度设计。
6. 支持宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
IPW65R048CFDA广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动。
3. 各种DC-DC转换器模块。
4. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 通信电源和其他需要高效功率转换的应用场景。
IPB60R099C6, IRFP9240
