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NTS10100EMFST3G 发布时间 时间:2025/4/30 11:14:24 查看 阅读:3

NTS10100EMFST3G 是一款基于 N-Channel MOSFET 技术的超小型表面贴装晶体管,专为需要高开关速度和低导通电阻的应用而设计。该器件采用了先进的制程工艺,确保了在高频和低功耗应用中的卓越性能。其小尺寸封装(SOT-23)非常适合空间受限的设计场景,并且能够提供出色的电气特性。

参数

型号:NTS10100EMFST3G
  封装类型:SOT-23
  Vds(漏源电压):60V
  Vgs(栅源电压):±20V
  Rds(on)(导通电阻):1Ω(最大值,在 Vgs=10V 下)
  Id(连续漏极电流):550mA
  Pd(总功耗):400mW
  f(工作频率范围):DC 至 MHz 级别
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

NTS10100EMFST3G 提供了低导通电阻和快速开关能力,使其成为高效电源管理的理想选择。此外,其小巧的 SOT-23 封装形式有助于减少 PCB 占用面积,同时支持自动化装配流程。
  该器件具有出色的热稳定性和可靠性,适用于工业、消费电子以及通信领域中的多种应用。由于其具备较低的 Rds(on),可以显著降低功率损耗并提高整体效率。

应用

NTS10100EMFST3G 广泛应用于便携式设备、计算机外设、电机驱动器以及其他需要高性能开关功能的场合。典型应用包括负载开关、DC/DC 转换器、电池保护电路、信号切换以及过流保护等。
  由于其低导通电阻和紧凑型封装特点,它也非常适合用于移动电话、平板电脑、USB 充电器及物联网设备中。

替代型号

NTS10100PFST3G
  AO3400
  FDMQ8203

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NTS10100EMFST3G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)720 mV @ 10 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏70 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerTDFN,5 引线
  • 供应商器件封装5-DFN(5x6)(8-SOFL)
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C