时间：2025/8/13 18:41:33
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AUIRGP4063D-E 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高性能电源管理和功率转换应用设计。这款MOSFET属于增强型N沟道器件，具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率的DC-DC转换器、电机控制、电源管理和汽车电子系统。AUIRGP4063D-E 采用先进的沟槽技术，确保了在高频率开关操作中的稳定性和可靠性。其封装形式为D2PAK（TO-263），便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：400V
漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：最大值为65mΩ（典型值为55mΩ）
栅极电荷（Qg）：100nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：D2PAK（TO-263）
功率耗散（Pd）：160W
输入电容（Ciss）：1400pF
反向恢复时间（trr）：快速恢复
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：400V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
AUIRGP4063D-E 具有出色的电气性能和热性能，能够在高电压和大电流条件下保持稳定的运行。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率，非常适合用于高功率密度的设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供快速的开关速度，减少了开关损耗，同时保持了较低的电磁干扰（EMI）。此外，AUIRGP4063D-E 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间工作，适合汽车电子和工业电源等要求严苛的应用场景。
在封装方面，D2PAK（TO-263）封装设计提供了良好的散热性能，有助于将热量快速散发到外部环境中，从而提高系统的可靠性和寿命。该封装还支持表面贴装（SMT）工艺，简化了PCB设计并提高了装配效率。
从应用角度看，AUIRGP4063D-E 可广泛用于各种功率转换设备，如开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、UPS系统、LED照明驱动电路以及新能源领域的功率调节设备。
AUIRGP4063D-E 主要应用于需要高效功率转换和管理的场合，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机控制模块、逆变器、UPS不间断电源系统、LED照明驱动电路、工业自动化设备、汽车电子控制系统以及新能源系统如太阳能逆变器和电池管理系统（BMS）。
IRF4063D-E, AUIRFP4063D-E, AUPM4063D-E
