时间：2025/7/29 11:45:44
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IPL60R095CFD7AUMA1 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET，属于CoolMOS? CFD7系列。该器件基于先进的超结（SJ）技术，具备低导通电阻、高开关性能和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换应用。该MOSFET采用表面贴装（SMD）封装，便于自动化生产和高效散热。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：95mΩ
栅极电荷（Qg）：77nC
最大功率耗散（Ptot）：130W
封装类型：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
IPL60R095CFD7AUMA1 具备多项先进特性，使其在高功率密度和高能效电源系统中表现出色。
首先，其超结（Super Junction）技术显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。在600V的漏源电压下，RDS(on)仅为95mΩ，这使得该器件在高电流应用中依然保持较低的功率损耗。
其次，该MOSFET集成了快速恢复二极管（FRD），优化了反向恢复特性，减少了开关损耗，特别适用于硬开关和高频应用。CoolMOS? CFD7系列在开关性能上进行了优化，能够实现更高的开关频率，从而减小磁性元件的体积，提高整体系统的功率密度。
此外，该器件采用了先进的表面贴装封装（D2PAK），不仅便于自动化装配，还具备良好的热管理能力。其最大功率耗散为130W，能够在较高温度环境下稳定运行。封装设计也提高了散热效率，有助于降低系统的热设计复杂度。
该MOSFET具备较高的短路耐受能力，增强了在异常工作条件下的可靠性。其栅极电荷（Qg）为77nC，控制了开关过程中的能量消耗，进一步提升了能效。
综上，IPL60R095CFD7AUMA1 凭借其低导通电阻、快速开关性能、集成快速恢复二极管和优异的热管理能力，成为高效电源转换系统中的理想选择。
IPL60R095CFD7AUMA1 广泛应用于多种高效率电力电子系统中，尤其是在需要高功率密度和低损耗的场合。
其中，该器件常用于服务器电源、通信电源、工业电源以及光伏逆变器等系统。其高效率和高频率工作能力使其非常适合用于LLC谐振转换器、PFC（功率因数校正）电路和DC-DC转换器等拓扑结构。在这些应用中，IPL60R095CFD7AUMA1 能够显著降低导通和开关损耗，提高整体系统效率。
此外，该MOSFET也适用于高功率适配器、电池充电器和电机驱动器等应用。其集成的快速恢复二极管可有效减少外部元件数量，简化电路设计，同时提升系统的稳定性和可靠性。
在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，IPL60R095CFD7AUMA1 也表现出色。其高耐压能力和优异的热稳定性使其能够在严苛的工作环境下长期稳定运行，满足可再生能源系统对高可靠性和高效率的双重需求。
IPW60R095CFD7AG, IPA60R095CFD7ATMA1, STF60N60DM2, SPD24N60CFDG
