IS61LV2568L 时间：2025/8/24 19:13:30 阅读：4

IS61LV2568L是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为256K x 8位。该芯片采用高性能CMOS技术制造，适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场合。IS61LV2568L的工作电压通常为2.3V至3.6V，支持工业级温度范围，封装形式通常为TSOP或SOJ，适用于各种工业、通信和消费类电子产品。

参数

容量：256K x 8位
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　访问时间：10ns
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP、SOJ
　　数据宽度：8位
　　组织结构：256K地址空间，每个地址8位数据
　　输入/输出接口：三态数据总线
　　最大工作频率：100MHz（基于访问时间）
　　待机电流：低功耗CMOS设计

特性

IS61LV2568L具有高速访问时间（最快可达10ns），适用于需要快速数据读写的应用场景。该芯片采用低功耗CMOS工艺，在保持高性能的同时有效降低功耗，适用于便携式设备和对功耗敏感的系统。其宽电压范围（2.3V至3.6V）使其兼容多种电源供应系统，增强了设计的灵活性。
　　该SRAM芯片具备三态数据总线，可以方便地与各种数据总线架构连接，减少外部电路的复杂性。IS61LV2568L还支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下的稳定运行。其封装形式包括TSOP和SOJ，适合表面贴装和通孔焊接，广泛用于嵌入式系统、通信模块、工业控制设备和消费类电子产品中。
　　此外，该芯片具有高可靠性，经过严格的测试和验证，确保长期稳定运行。其非易失性虽然不如Flash存储器，但SRAM的优势在于无需刷新操作，响应速度快，适用于高速缓存和实时数据存储应用。

应用

IS61LV2568L广泛应用于需要高速数据访问和低功耗的系统中，如工业控制、通信设备、网络路由器、打印机、嵌入式系统、数据采集设备、测试仪器和消费类电子产品。其高速特性和低功耗设计使其成为嵌入式处理器系统的理想选择，适用于高速缓存、数据缓冲、临时数据存储等场景。此外，它也常用于需要可靠数据存储和快速访问的自动化设备和测量仪器中。