IPD040N03LG 时间：2025/5/7 17:31:13 阅读：6

IPD040N03LG 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET 芯片。该器件采用 LFPAK56 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。这款 MOSFET 在设计时注重降低功耗并提升系统性能，同时保持了较高的可靠性和稳定性。
　　IPD040N03LG 的主要特点是其优化的 RDS(on) 参数和快速开关能力，这些特性使其成为许多高效能应用的理想选择。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：-40A
　　导通电阻：1.2mΩ
　　栅极电荷：38nC
　　总电容：950pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

IPD040N03LG 提供了非常低的导通电阻（RDS(on)），仅为 1.2mΩ，这使得它在大电流应用场景中能够显著减少导通损耗。此外，该器件还具备较低的栅极电荷，有助于提高开关速度并减少开关损耗。
　　该芯片使用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，从而实现了更高的效率和更低的热阻。LFPAK56 封装提供了出色的散热性能，并且与常见的表面贴装工艺兼容。
　　IPD040N03LG 还具有良好的短路耐受能力，能够在极端条件下提供额外的保护。整体上，这款 MOSFET 非常适合用于要求高效率和高可靠性的电力电子设备中。

应用

IPD040N03LG 广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合，例如：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器
　　2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关
　　3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关
　　4. 电动工具、家用电器和其他消费类产品的电机驱动
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块
　　由于其低导通电阻和快速开关能力，IPD040N03LG 能够在这些应用中提供卓越的性能表现。