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C25N4TM250W 发布时间 时间:2025/8/4 18:48:30 查看 阅读:15

C25N4TM250W 是一款由东芝(Toshiba)制造的功率晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。这款晶体管专门设计用于高功率应用,具有较高的电流和电压承受能力。它采用TO-247封装形式,适用于各种高功率电子设备,例如电源转换器、电机驱动器和工业控制系统。C25N4TM250W的主要特点包括低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,这使其在需要高效能和高可靠性的场合中表现出色。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:25A
  漏-源极击穿电压:400V
  导通电阻(Rds(on)):0.25Ω
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  最大功率耗散:150W
  栅极阈值电压:2V至4V

特性

C25N4TM250W MOSFET的一个显著特性是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统的整体效率。该特性使得晶体管在高电流条件下仍然能够保持较低的电压降,从而降低发热和能量损耗。此外,该器件的高开关速度使其适用于高频应用,减少开关过程中的能量损耗,同时允许设计更紧凑的电路。
  这款MOSFET还具有良好的热稳定性,能够在较高的工作温度下保持稳定运行。其TO-247封装不仅提供了良好的散热性能,还便于在电路板上安装和散热片连接。C25N4TM250W的栅极阈值电压范围适中(2V至4V),这意味着它能够与多种驱动电路兼容,从而简化了控制电路的设计。
  该晶体管还具备较高的短路耐受能力,可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这一特性在电机控制和电源转换等应用中尤为重要,因为它可以防止因瞬时过载而导致的器件损坏,提高系统的可靠性和稳定性。

应用

C25N4TM250W MOSFET广泛应用于需要高功率处理能力的电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及工业自动化控制系统。在这些应用中,该晶体管能够高效地处理大电流和高压,从而实现高性能和高效率的电力转换和控制。

替代型号

TK25A40D, IRF250, STP25NK4AG, FDPF25N40