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MCM63Z819TQ11 发布时间 时间:2025/9/3 8:45:40 查看 阅读:7

MCM63Z819TQ11 是一款由Motorola(现为NXP Semiconductors)制造的高性能、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有高速存取能力和出色的可靠性,广泛用于需要高速缓存和数据存储的应用场景。

参数

容量:19Mbit(256K x 72)
  电压范围:3.3V ± 0.3V
  访问时间:10ns
  工作温度范围:工业级 -40°C 至 +85°C
  封装类型:360-TQFP
  接口类型:异步SRAM接口
  功耗:典型值约1.5W

特性

MCM63Z819TQ11 采用先进的CMOS技术,提供高速存取能力,访问时间仅为10纳秒,适用于高性能数据处理系统。
  其容量为19Mbit(256K x 72),适用于大容量缓存和实时数据处理应用,如网络设备、通信设备和工业控制系统。
  该芯片支持3.3V供电,并具有宽温度范围(-40°C 至 +85°C),适合在严苛环境下稳定运行。
  此外,MCM63Z819TQ11 提供了低待机电流特性,有助于降低系统整体功耗,提高能效。
  其360-TQFP封装形式提供了良好的散热性能和空间利用率,适合高密度PCB设计。

应用

MCM63Z819TQ11 常用于高性能嵌入式系统、网络交换设备、路由器、数据通信设备、工业控制设备以及需要高速缓存的计算系统。
  其大容量和高速特性使其成为需要快速数据访问的场景中的理想选择,如图像处理、高速缓存存储、协议转换设备等。
  在工业自动化和测试设备中,该SRAM芯片也广泛用于临时数据存储和高速缓冲处理。

替代型号

MCM63Z819TQ11BNG, MCM63Z819TQ11BG, CY7C1380C-10BZC

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