时间：2025/6/24 15:53:40
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IPB034N06L3 是一款 N 沣道场效应晶体管 (N-channel MOSFET)，由 Infineon Technologies 生产。该器件采用先进的 TRENCHSTOP 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能的功率转换应用。其封装形式为 TO-252(DPAK)，适合表面贴装工艺。
这款 MOSFET 在消费电子、工业设备以及汽车应用中广泛使用，例如开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻：8.1mΩ
栅极电荷：10nC
开关速度：快
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IPB034N06L3 具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率的开关性能，能够支持高频操作。
3. 内置反向二极管，可实现续流功能，简化电路设计。
4. 强大的热性能表现，允许在高温环境下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 封装紧凑，易于集成到现代 PCB 设计中。
IPB034N06L3 的典型应用场景包括：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动中的功率级控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 汽车电子中的电池管理与配电系统。
6. 工业自动化设备中的功率调节模块。
IPP039N06L3G, IRFZ44N, FDP034N6S
