GN2904S-IBTE3D 时间：2025/8/4 23:16:53 阅读：15

GN2904S-IBTE3D 是一款由 Gainsil（芯源半导体）生产的高性能、低功耗的射频（RF）功率放大器芯片，广泛用于无线通信系统中，如蜂窝网络基础设施、Wi-Fi 6E、5G NR、毫米波通信等高频应用领域。该芯片采用先进的 GaN（氮化镓）工艺技术，能够在高频率下提供出色的功率增益和效率。GN2904S-IBTE3D 的封装形式为表面贴装型（SMT），适用于高密度电路设计。

参数

工作频率范围：24 GHz - 30 GHz
　　输出功率：典型值 28 dBm
　　增益：≥20 dB
　　电源电压：5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：QFN
　　功耗：典型值 3.5W
　　输入驻波比（VSWR）：≤2.0:1
　　输出驻波比（VSWR）：≤2.0:1

特性

GN2904S-IBTE3D 具有出色的高频性能，能够在24 GHz至30 GHz的频率范围内稳定工作，适用于5G毫米波通信等高端应用场景。其基于GaN工艺的制造使其在高频率下仍能保持良好的热稳定性和可靠性，同时具备较高的输出功率密度和能效。该芯片的高线性度和低失真特性有助于提升通信系统的信号质量，降低误码率。
　　此外，GN2904S-IBTE3D 的输入和输出匹配网络已经内置，减少了外部电路的设计复杂度，使得系统集成更加简便。其表面贴装封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产，提高了制造效率。该芯片还具备良好的抗干扰能力和较高的集成度，适合用于高密度PCB布局环境中。
　　在热管理方面，该芯片采用了高效的散热结构设计，确保在高功率输出下仍能保持较低的工作温度，从而延长器件的使用寿命并提高系统稳定性。整体来看，GN2904S-IBTE3D 是一款专为高频、高可靠性通信应用而设计的射频功率放大器芯片。

应用

GN2904S-IBTE3D 主要用于5G毫米波通信基站、Wi-Fi 6E/7无线接入设备、点对点微波通信系统、雷达与测试测量仪器等高频应用场合。由于其卓越的高频性能和稳定性，该芯片也非常适合用于工业自动化、智能交通系统（ITS）以及卫星通信等对射频性能要求极高的领域。此外，它还可用于无人机通信系统、毫米波雷达以及下一代移动通信基础设施的射频前端模块中。