类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：16A（在TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：64A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤20mΩ（当Vgs=10V时）
　　耗散功率（Pd）：134W
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）等

HF0200HS具有出色的导通和开关性能，其低Rds(on)特性显著减少了导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用了先进的沟槽式结构设计，优化了电场分布，提高了器件的击穿电压稳定性和可靠性。
　　内置的快速恢复体二极管可以有效减少反向恢复损耗，适用于高频开关应用。
　　在封装方面，HF0200HS通常采用TO-220或TO-263（D2PAK）等标准封装形式，便于安装和散热设计，适用于多种电路布局。
　　此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，可在恶劣工作环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　HF0200HS还具有栅极保护二极管，防止静电放电（ESD）损坏，增强了器件的抗干扰能力。

HF0200HS广泛应用于各种电源管理系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流模块、负载开关控制、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。
　　由于其高耐压和大电流能力，HF0200HS也非常适合用于工业自动化设备、服务器电源、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及电动车电控系统等高性能电源转换场合。
　　在消费类电子产品中，如高功率LED驱动器、快充适配器等，HF0200HS也能提供高效率、小体积的解决方案。
　　该器件还适用于高频开关电源和同步整流拓扑结构，可有效降低导通损耗并提升整体能效。

SiHF20N20C, FQA20N20C, FDPF20N20C, STF20N20