类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：26A（Tc=25℃）
　　导通电阻 Rds(on)：最大 0.22Ω（在 Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-247
　　阈值电压（Vgs(th)）：3.0V 至 5.0V
　　输入电容（Ciss）：约 1900pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（非二极管结构）

IXFX26N90Q 具备多项高性能特性，使其在高电压和高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（Vds=900V）使得该器件适用于高压直流（HVDC）系统、电源转换器以及太阳能逆变器等需要高电压隔离的应用。其次，较低的导通电阻（Rds(on)=0.22Ω）有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。此外，该 MOSFET 的漏极电流额定值为 26A，在高电流负载条件下仍能保持稳定工作。
　　IXFX26N90Q 采用 TO-247 封装，具有良好的热管理和散热能力，适用于高功率密度设计。其高功率耗散能力（300W）确保了在高负载条件下的稳定运行。栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容常见的栅极驱动电路，便于设计和集成。
　　此外，该器件的阈值电压范围为 3.0V 至 5.0V，支持标准逻辑电平控制，适用于多种控制器和微处理器接口。输入电容为 1900pF，确保了快速开关能力，减少了开关损耗，提高了系统的响应速度和效率。整体来看，IXFX26N90Q 是一款性能稳定、可靠性高、适用于高功率和高压应用的功率 MOSFET。

IXFX26N90Q 主要应用于高电压和高功率电子系统中，包括但不限于以下领域：开关电源（SMPS）、DC-AC 逆变器、电机驱动和控制、工业自动化系统、电力电子转换器、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）系统、电动汽车充电设备以及高压直流输电（HVDC）系统等。
　　在开关电源应用中，IXFX26N90Q 可用于主开关或同步整流器，提高转换效率并降低热损耗。在逆变器设计中，该器件可作为功率开关用于将直流电转换为交流电，广泛应用于太阳能发电和储能系统中。此外，在电机控制应用中，IXFX26N90Q 可用于驱动大功率电机，实现高效的调速和负载管理。
　　由于其高耐压和高电流能力，IXFX26N90Q 也适用于高压测试设备、工业加热系统和电力质量调节设备。在电动汽车充电基础设施中，该 MOSFET 可用于 DC 快速充电模块，提供高效的电能转换和稳定的输出性能。

STW26NK90Z, FCP26N90AM, SiHP26N90CD, FDMS26N90