时间：2025/12/28 14:24:42
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PHP18NQ10T是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的技术制造，具备低导通电阻、高电流能力和良好的热性能，适用于各种电源管理场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：约7.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
功率耗散(Pd)：130W
工作温度范围：-55°C至175°C
PHP18NQ10T具有多项优异的电气和热性能特点。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率，尤其适合用于高频率开关应用。该MOSFET采用了先进的封装技术，提供良好的散热性能，确保在高负载条件下依然能够稳定工作。此外，它具备高电流承载能力，支持高达18A的连续漏极电流，适用于需要高功率密度的设计。器件的栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于集成到现有系统中。
PHP18NQ10T还具备出色的短路和过载保护能力，增强了系统可靠性。其耐用的封装结构和优化的芯片设计确保在恶劣的工作环境下也能保持稳定的性能。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计。
PHP18NQ10T广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器以及工业自动化控制系统。其高效能特性使其成为电动汽车充电模块、太阳能逆变器和服务器电源等高要求应用中的理想选择。
IPW90R120C3, FDP18N50, STP20N10LL
