时间：2025/12/23 13:37:04
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IPB029N06N3G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 Infineon Technologies 生产。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合于需要高效能和高可靠性的应用场合。
这款 MOSFET 的电压等级为 60V，适合用于中低压应用环境，如直流电机驱动、开关电源、负载开关等。其封装形式为 DPAK（TO-252），便于散热和安装。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：29A
导通电阻：1.8mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：24nC（典型值）
开关时间：ton=12ns，toff=15ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装：DPAK（TO-252）
IPB029N06N3G 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了高效的功率传输，减少了传导损耗。
2. 高额定电流能力使其适用于大功率应用。
3. 快速开关性能有助于降低开关损耗，提升整体系统效率。
4. 良好的热稳定性和可靠性设计确保在极端温度条件下的稳定运行。
5. 小巧的 DPAK 封装提供了良好的散热性能，同时节省了 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
IPB029N06N3G 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 工业和消费类电机驱动电路。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换。
4. 汽车电子中的电源管理模块。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备中的功率转换部分。
6. 各种保护电路，如过流保护和短路保护。
IPP029N06N3G, IRF540N, FDP18N6S
