类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　栅源电压（Vgs）：±12 V
　　连续漏极电流（Id）：130 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：400 A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 1.3 mΩ（Vgs = 10 V, Id = 65 A）
　　阈值电压（Vth）：典型值 1.8 V，范围 1.4 ~ 2.5 V
　　输入电容（Ciss）：约 11000 pF（Vds = 10 V, Vgs = 0 V, f = 1 MHz）
　　输出电容（Coss）：约 2700 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 25 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：DPAK（TO-252）

AL02ST0N8 采用了 STMicroelectronics 先进的沟槽栅极垂直结构（TrenchGate?）工艺，这种技术显著降低了导通电阻 Rds(on)，同时优化了开关性能，使其在大电流应用中表现出色。其超低的 Rds(on) 值仅为 1.3 mΩ（在 Vgs=10V 条件下），能够大幅减少传导损耗，提升系统效率，特别适合用于电池管理系统、DC-DC 转换器以及大电流开关电路中。此外，该器件具有优异的热稳定性，能够在高达 +175°C 的结温下持续运行，确保在极端工作条件下依然保持可靠性。
　　该 MOSFET 还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为 220 nC（在 Vgs=10V 时），有助于降低驱动损耗并加快开关速度，从而减少开关过程中的动态损耗。输入电容 Ciss 和反向传输电容 Crss 较小，有利于提高高频工作的稳定性，并减少噪声干扰。
　　DPAK 封装不仅提供了良好的散热路径，还支持通孔或表面贴装安装方式，适应多种 PCB 设计需求。该封装内部引线设计经过优化，减少了寄生电感，进一步提升了高频开关性能。AL02ST0N8 符合 RoHS 环保标准，并通过了 AEC-Q101 认证，适用于汽车级应用环境，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。其高度集成的设计理念使得工程师可以在有限的空间内实现更高功率密度的解决方案。

AL02ST0N8 主要应用于需要高效能、大电流切换能力的电力电子系统中。常见用途包括但不限于：开关模式电源（SMPS）、同步整流器、直流电机驱动器、电池保护电路、逆变器和 DC-DC 升降压转换器。在新能源汽车领域，它可用于车载充电机（OBC）、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及各类车载电子设备的电源模块。由于其出色的导通特性和热稳定性，也常被用于工业自动化设备中的功率控制单元，例如 PLC 输出模块、继电器替代电路和高密度电源供应器。此外，在消费类电子产品如高性能笔记本电脑、游戏主机和服务器电源中，AL02ST0N8 可作为主功率开关元件，提供快速响应和低能耗表现。其宽泛的工作温度范围和高可靠性也使其适用于户外通信设备、LED 驱动电源和 UPS 不间断电源系统。

[
　　 "IRL3803",
　　 "FDP1830NL",
　　 "NTD4906N",
　　 "IPB028N20N5",
　　 "AUIRLB8320"
　　]