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WTVA0400N06WB2 发布时间 时间:2025/8/15 14:18:17 查看 阅读:29

WTVA0400N06WB2是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Wintec Semiconductor制造。这种类型的晶体管广泛应用于功率转换和控制电路中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电机控制。WTVA0400N06WB2采用先进的沟槽技术,提供优异的导通特性和开关性能,同时具有较低的导通电阻(RDS(on))以减少功率损耗。该器件采用双通道封装设计,允许在高电流应用中并联使用,提高整体的电流承载能力。其封装形式为TO-263,便于散热并适用于表面贴装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):200A
  最大漏极-源极电压(VDS):60V
  最大栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):4.0mΩ(典型值)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-263

特性

WTVA0400N06WB2具备多个优良特性,首先是其极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高能效。其次,该MOSFET采用先进的沟槽技术,使器件在高频开关应用中表现出色,从而减少开关损耗。其高电流承载能力使其适用于大功率系统。此外,器件的栅极驱动电压范围较宽,支持在多种应用中灵活使用。该MOSFET还具有良好的热稳定性和较高的可靠性,能够在恶劣的环境条件下长时间运行。TO-263封装不仅有助于散热,还能简化PCB布局,提高系统整体的稳定性和耐用性。
  另一个关键特性是其双通道结构,允许两个MOSFET并联使用而不增加封装尺寸,这在需要高电流输出的应用中非常有用。每个通道独立工作,互不干扰,从而提高了系统的冗余性和可靠性。此外,该器件具有良好的抗雪崩能力和较高的耐用性,能够承受瞬时过载和电压尖峰,适用于各种工业和汽车应用。

应用

WTVA0400N06WB2广泛应用于各种高功率电子系统,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动和电池管理系统。在工业自动化和服务器电源系统中,该MOSFET可作为主开关或同步整流元件,提供高效能和稳定的工作性能。此外,它还可用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理系统和电机控制单元,满足高可靠性和高效率的要求。在太阳能逆变器和储能系统中,该器件同样可用于功率转换和能量管理,确保系统的稳定运行。

替代型号

SiZ600DT、NTMFS4C06N、FDMS86101、IPB065N06N3

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