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HYG028N10NS1B6 发布时间 时间:2025/9/2 21:02:46 查看 阅读:6

HYG028N10NS1B6是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要用于高效率电源转换和功率控制应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式(Trench)技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力的特点,适用于诸如DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电池管理系统以及各类工业电源设备。其封装形式为SOP(小外形封装),符合工业标准,便于在各种电路板上安装和使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):100V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):16A(在25℃)
  功耗(Pd):50W
  导通电阻(Rds(on)):≤7.8mΩ(在Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:SOP8(表面贴装)

特性

HYG028N10NS1B6是一款性能优异的功率MOSFET,采用了先进的沟槽式工艺,使得其在导通状态下的电阻非常低,从而降低了导通损耗,提高了整体效率。该器件在Vgs=10V时的Rds(on)最大为7.8mΩ,确保了在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗。此外,该MOSFET具备较高的电流承载能力,在25℃环境温度下可承受连续漏极电流高达16A,适用于高功率密度的设计。
  该器件的封装形式为SOP8,采用表面贴装技术(SMT),便于自动化生产并提高电路板的集成度。同时,SOP封装具备良好的热性能,能够有效将热量从芯片传导至PCB,确保器件在高负载下稳定运行。
  HYG028N10NS1B6的工作温度范围为-55℃至175℃,具备良好的耐温能力,适用于严苛的工业环境。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持±20V,使其在多种驱动电路中都能稳定工作。由于其优异的性能,HYG028N10NS1B6广泛应用于电源管理系统、电机控制、同步整流器、电池保护电路等领域。

应用

HYG028N10NS1B6由于其高效率、低导通电阻和优良的热性能,广泛应用于多个电力电子领域。例如,在DC-DC转换器中,该MOSFET作为主开关器件,能够显著提高转换效率并减小电路体积。在同步整流电路中,HYG028N10NS1B6可以替代传统的二极管,降低导通压降,提高整体效率。此外,该器件还可用于负载开关、电源管理模块、电池充电与保护电路以及电机驱动系统中。
  在工业自动化设备中,HYG028N10NS1B6可用于控制高功率负载,如加热元件、风扇、照明系统等。在消费类电子产品中,该MOSFET可作为电源管理开关,用于笔记本电脑、平板电脑、智能电视等设备中的电源控制模块。此外,该器件也适用于汽车电子系统,如车载充电器、LED照明、电池管理系统等应用场景。

替代型号

TKA12N10K3AG2AG,HYF12N10NS1B6,HYF038N10NS1B6,HYG048N10NS1B6

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