时间：2025/8/2 6:49:26
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SIA448DJ-T1-GE3 是 Vishay Semiconductors 生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 TrenchFET 技术制造。该器件专为高效率、高频率的电源转换应用设计，具备低导通电阻、高功率密度和良好的热性能。SIA448DJ-T1-GE3 采用 8 引脚的 SOIC 封装，适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：18mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on))：26mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散(Pd)：3.2W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOIC-8
SIA448DJ-T1-GE3 的核心特性之一是其极低的导通电阻，在 Vgs=10V 时仅为 18mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
该器件采用了先进的 TrenchFET 技术，使得在保持高性能的同时，体积更小，适合高密度的 PCB 布局。
其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的驱动电压，兼容多种驱动器设计，提高了应用的灵活性。
此外，SIA448DJ-T1-GE3 具备良好的热稳定性，在高电流工作条件下仍能保持稳定的性能，适用于高功率密度的电源系统。
该 MOSFET 的封装形式为 SOIC-8，具备较强的机械稳定性和良好的焊接性能，适合表面贴装工艺，便于大规模生产。
在可靠性方面，SIA448DJ-T1-GE3 经过严格的测试和验证，确保在工业级温度范围内稳定运行，适用于各种苛刻的环境条件。
SIA448DJ-T1-GE3 主要应用于高效电源转换系统中，如同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关以及电池管理系统等。
在服务器电源、通信电源和工业电源中，SIA448DJ-T1-GE3 可用于高效率的功率转换电路，提升整体能效。
此外，该器件也常用于电机驱动、电源管理模块以及便携式电子设备中的电源控制部分。
由于其低导通电阻和良好的热性能，SIA448DJ-T1-GE3 也非常适合用于高频率开关应用，能够有效减少开关损耗并提升系统稳定性。
在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车的电池管理系统中，SIA448DJ-T1-GE3 也具有广泛的应用潜力。
Si4466BDY-T1-GE3, FDS4480, IRF7413, NTD14N03RT
