时间：2025/9/14 14:53:46
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BF824,235 是一款由 Nexperia（原恩智浦半导体分立器件部门）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于各种中高功率应用，如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备。BF824,235 采用先进的 Trench MOS 工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和良好的热稳定性，是一款性能稳定、可靠性高的功率开关器件。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：1.3 A（在 25°C 环境温度）
功耗（Ptot）：300 mW
导通电阻（Rds(on)）：0.85 Ω @ Vgs = 10 V
阈值电压（Vgs(th)）：1.1 V ~ 2.5 V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOT23
BF824,235 具备多项优良特性，适合多种应用场景。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围宽广（±20 V），兼容多种驱动电路，便于设计和集成。
此外，BF824,235 采用先进的 Trench MOS 技术，提升了导电性能并降低了开关损耗。其封装形式为 SOT23，体积小巧，便于在空间受限的电路中使用。
该 MOSFET 的热稳定性良好，能在较高温度环境下稳定工作，适用于便携式设备、电池管理系统、DC-DC 转换器、LED 照明驱动等对效率和体积都有要求的应用场合。
由于其封装和电气特性，BF824,235 在低功耗开关应用中表现优异，能够有效延长电池寿命，同时具备较强的抗静电能力和热保护能力。
BF824,235 常用于以下类型的应用场景：电源管理系统中的负载开关、DC-DC 升压/降压转换器、LED 驱动电路、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的功率控制、电机驱动、电池充电管理、传感器接口控制等。
此外，该器件也适用于工业控制电路、家用电器中的低功耗开关控制、嵌入式系统中的电源优化设计等场景。由于其良好的热特性和稳定性，BF824,235 还可应用于环境温度较高的设备中。
Si2302DS, 2N7002, BSS138, FDS6680, AO3400
