KS5852 时间：2025/11/12 22:12:10 阅读：22

KS5852是一款由韩国Korean Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等高效率功率转换场景。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于需要高效能和紧凑设计的电子系统。KS5852在封装上通常采用TO-220或TO-252（DPAK）等常见功率封装形式，便于散热设计与PCB布局。其主要目标市场包括消费类电子产品、工业控制设备以及通信电源模块等领域。
　　作为一款中低压MOSFET，KS5852能够在较高的漏极电流下稳定工作，同时保持较低的导通损耗。这使其成为DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备中的理想选择。此外，该器件具备较强的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性。由于其良好的性价比和稳定的供货能力，KS5852被许多制造商用于替代国际品牌同类产品，在国产化替代趋势中具有一定优势。

参数

型号：KS5852
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：70A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：280A
　　导通电阻(RDS(on))：18mΩ @ VGS=10V, ID=35A
　　导通电阻(RDS(on))：23mΩ @ VGS=4.5V, ID=35A
　　栅极电荷(Qg)：45nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：2200pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间(trr)：35ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220 / TO-252

特性

KS5852具备优异的电气性能和热管理能力，其核心优势之一是低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下可低至18mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。这对于大电流应用场景尤为重要，例如在同步整流DC-DC变换器中，低RDS(on)可以直接减少发热，提高能效比。同时，该器件在较低的驱动电压下仍能保持良好导通特性，RDS(on)=23mΩ@4.5V，支持宽范围的逻辑电平驱动，兼容3.3V或5V微控制器直接控制，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。
　　该MOSFET具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达70A，脉冲电流更高达280A，适合短时高峰值电流的应用，如电机启动、电容充电等瞬态负载场合。其栅极电荷Qg为45nC，属于中等偏低水平，有助于实现较快的开关速度，降低开关损耗，尤其适用于高频开关电源设计。输入电容Ciss为2200pF，在同类产品中处于合理区间，平衡了开关速度与驱动功耗之间的关系。
　　在可靠性方面，KS5852具备出色的热稳定性，最高工作结温可达175℃，确保在高温环境下长期可靠运行。器件内部结构经过优化，具有较强的抗雪崩能力，能够承受一定的感性负载关断时产生的电压冲击，提高了系统的鲁棒性。此外，TO-220和TO-252封装均具备良好的散热性能，可通过外接散热片进一步提升功率处理能力，适应不同功率等级的设计需求。综合来看，KS5852在性能、成本与可靠性之间实现了良好平衡，是一款适用于多种功率开关应用的高性能N沟道MOSFET。

应用

KS5852广泛应用于各类中高功率电子系统中，典型应用包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、逆变器、LED驱动电源以及各种负载开关控制电路。在便携式设备电源管理中，它可用于电池放电通路的通断控制，利用其低导通电阻减少能量损耗，延长续航时间。在工业自动化领域，KS5852常被用作继电器或电磁阀的驱动开关，替代机械继电器以实现无触点控制，提高响应速度和使用寿命。
　　在通信设备电源模块中，该器件适用于次级侧同步整流电路，替代肖特基二极管以降低压降和发热，提升转换效率。此外，在太阳能充电控制器、UPS不间断电源及小型逆变器中，KS5852也可作为主开关管或桥式拓扑中的组成部分，承担能量传输与切换任务。其高电流能力和良好热性能使其适合持续负载运行环境。在消费类电子产品如显示器电源板、家电控制板中，也常见其身影，用于实现高效的电压调节与功率分配。总体而言，凡是需要高效、大电流、快速开关响应的N沟道MOSFET应用场景，KS5852都是一个值得考虑的选择。