QYX2A223KTP是一款由知名电容器制造商生产的多层陶瓷电容器(MLCC),主要用于电子电路中的去耦、滤波、旁路和储能等应用。该器件采用X7R介电材料,具有良好的温度稳定性和较高的容值密度,适用于在宽温度范围内保持电容性能稳定的工业、消费类及通信类电子产品。其标称电容量为22nF(即22000pF),容差为±10%(代号K),额定电压为100V(代号2A)。器件封装尺寸为0805(英制),即公制2012,适合表面贴装技术(SMT)自动化生产。QYX是制造商或系列标识,具体品牌可能为第三方或兼容品牌,需结合包装和数据手册确认原厂信息。该型号广泛用于电源管理模块、DC-DC转换器、信号调理电路以及各类嵌入式系统中,具备高可靠性与小型化优势。
电容量:22nF
容差:±10%
额定电压:100V
介电材料:X7R
温度特性:-55°C 至 +125°C,电容变化不超过±15%
封装尺寸:0805(2.0mm × 1.2mm)
工作温度范围:-55°C ~ +125°C
绝缘电阻:≥1000MΩ 或 C×V ≥ 100GΩ·μF
耐久性:在额定电压和+125°C环境下持续工作1000小时后,电容变化不超过初始值的-15%~+15%
损耗角正切(tanδ):≤2.5%
结构:多层陶瓷片式电容器
端电极:镍阻挡层/锡覆盖(Ni-Sn)或根据规格定制
符合标准:RoHS、REACH、无卤素(Halogen-free)
抗焊接热:满足IEC 60068-2-56等标准要求
QYX2A223KTP作为一款X7R材质的多层陶瓷电容器,具备优异的温度稳定性,在-55°C至+125°C的工作温度范围内,其电容值的变化幅度控制在±15%以内,远优于Z5U或Y5V等普通介电类型,适用于对电容稳定性要求较高的场合。X7R材料通过掺杂改性的钡钛酸盐体系实现高介电常数与良好热稳定性的平衡,使得该器件在不牺牲体积效率的前提下提供可靠的电气性能。
该电容器具有低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL),特别适合高频去耦应用,如微处理器供电引脚的噪声抑制、开关电源输出端的纹波滤波等。由于其固有的非极性特性与快速响应能力,能有效吸收瞬态电流波动,防止电压跌落导致系统复位或误操作。
采用先进的叠层制造工艺,内部由数十甚至上百层交替排列的陶瓷介质与内电极构成,确保了高机械强度与长期可靠性。端电极为铜内电极配合镍阻挡层和锡外镀层设计,增强了抗硫化能力和可焊性,适用于自动化贴片回流焊工艺。产品通过严格的寿命测试和环境适应性验证,包括高温高湿偏压(H3TRB)、温度循环、振动冲击等试验,确保在严苛工况下的稳定运行。
此外,该型号符合RoHS和REACH环保指令要求,不含铅、镉、六价铬等有害物质,支持绿色电子产品设计。其0805小型封装形式在空间受限的设计中具有较高集成度优势,同时兼顾一定的功率处理能力,避免因尺寸过小而导致局部过热或应力集中问题。
QYX2A223KTP广泛应用于各类需要中等电容值且对温度稳定性有一定要求的电子设备中。在电源管理系统中,常用于DC-DC转换器的输入输出滤波电容,配合大容量电解电容或钽电容使用,发挥其高频响应快的优势,有效降低输出纹波电压。在模拟信号链路中,可用于耦合、去耦或RC滤波网络,提升信噪比和系统稳定性。
在工业控制领域,该器件被广泛部署于PLC模块、传感器接口电路和电机驱动板中,用于抑制电磁干扰(EMI)并稳定参考电压。在通信设备如路由器、交换机和基站前端电路中,用于射频偏置电路的隔直与滤波,保障信号完整性。
消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器等也大量采用此类MLCC,特别是在PMU(电源管理单元)周围进行局部去耦,防止数字电路切换噪声影响敏感模拟模块。此外,在汽车电子系统中,尽管非车规级版本不能直接用于动力总成或安全系统,但在车载娱乐、仪表盘显示等次级系统中仍具应用价值,前提是工作条件在其额定范围内。
由于其100V额定电压等级高于常规5V或3.3V系统需求,因此更适合用于高压偏置、跨接隔离、继电器驱动缓冲或AC耦合场景,例如在音频放大器输出级或光电隔离器输入侧提供稳定电容支持。
GRM21BR71H223KA01L
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CC0805KRX7R9X102
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