GA1206A180KBABT31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率转换芯片,专为高频、高功率密度应用场景设计。该芯片集成了增强型 GaN 场效应晶体管(eGaN FET)和驱动器,显著提高了系统的开关速度和能效。其封装形式紧凑,能够满足现代电源管理应用对小型化和高性能的需求。
这款芯片适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、太阳能微型逆变器以及其他需要高效能量转换的领域。
型号:GA1206A180KBABT31G
类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
最大漏源电压:600V
持续漏极电流:18A
导通电阻:180mΩ
栅极电荷:9nC
开关频率:最高支持 5MHz
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:TO-247-3L
GA1206A180KBABT31G 具备以下主要特性:
1. 高开关频率:由于氮化镓材料的独特性能,该芯片支持高达 5MHz 的开关频率,从而实现更小尺寸的磁性元件和滤波器设计。
2. 极低的导通电阻:180mΩ 的 RDS(on) 确保了较低的传导损耗,提升了整体系统效率。
3. 快速开关特性:低栅极电荷(9nC)和优化的输出电容使其具有极快的开关速度,降低了开关损耗。
4. 高耐压能力:600V 的最大漏源电压使得该芯片适用于高压输入的应用场景。
5. 集成保护功能:内置过流保护、短路保护和过温保护机制,确保在异常条件下芯片的安全运行。
6. 小型化设计:采用 TO-247-3L 封装,便于散热且节省 PCB 空间。
7. 高可靠性:通过严格的测试验证,确保在各种恶劣环境下的稳定表现。
GA1206A180KBABT31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):
- AC-DC 电源适配器
- 数据中心电源
2. 电机驱动:
- 电动工具
- 家用电器中的高效电机控制
3. 新能源:
- 太阳能微型逆变器
- 储能系统中的 DC-DC 转换
4. 汽车电子:
- 车载充电器 (OBC)
- DC-DC 转换器
5. 工业设备:
- 工业自动化中的高频电源模块
- 等离子体发生器等需要高效功率转换的场合
GA1206A150KBABT31G, GA1006A180KBABT31G