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GA1206A180KBABT31G 发布时间 时间:2025/6/17 8:49:01 查看 阅读:4

GA1206A180KBABT31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率转换芯片,专为高频、高功率密度应用场景设计。该芯片集成了增强型 GaN 场效应晶体管(eGaN FET)和驱动器,显著提高了系统的开关速度和能效。其封装形式紧凑,能够满足现代电源管理应用对小型化和高性能的需求。
  这款芯片适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、太阳能微型逆变器以及其他需要高效能量转换的领域。

参数

型号:GA1206A180KBABT31G
  类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
  最大漏源电压:600V
  持续漏极电流:18A
  导通电阻:180mΩ
  栅极电荷:9nC
  开关频率:最高支持 5MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:TO-247-3L

特性

GA1206A180KBABT31G 具备以下主要特性:
  1. 高开关频率:由于氮化镓材料的独特性能,该芯片支持高达 5MHz 的开关频率,从而实现更小尺寸的磁性元件和滤波器设计。
  2. 极低的导通电阻:180mΩ 的 RDS(on) 确保了较低的传导损耗,提升了整体系统效率。
  3. 快速开关特性:低栅极电荷(9nC)和优化的输出电容使其具有极快的开关速度,降低了开关损耗。
  4. 高耐压能力:600V 的最大漏源电压使得该芯片适用于高压输入的应用场景。
  5. 集成保护功能:内置过流保护、短路保护和过温保护机制,确保在异常条件下芯片的安全运行。
  6. 小型化设计:采用 TO-247-3L 封装,便于散热且节省 PCB 空间。
  7. 高可靠性:通过严格的测试验证,确保在各种恶劣环境下的稳定表现。

应用

GA1206A180KBABT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):
   - AC-DC 电源适配器
   - 数据中心电源
  2. 电机驱动:
   - 电动工具
   - 家用电器中的高效电机控制
  3. 新能源:
   - 太阳能微型逆变器
   - 储能系统中的 DC-DC 转换
  4. 汽车电子:
   - 车载充电器 (OBC)
   - DC-DC 转换器
  5. 工业设备:
   - 工业自动化中的高频电源模块
   - 等离子体发生器等需要高效功率转换的场合

替代型号

GA1206A150KBABT31G, GA1006A180KBABT31G

GA1206A180KBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容18 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-