类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏-源电压 Vds：900V
　　最大栅-源电压 Vgs：±20V
　　最大漏极电流 Id（连续）：12A（Tc=25℃）
　　导通电阻 Rds(on)：0.45Ω（最大，Vgs=10V）
　　功耗（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-247

IXFH12N90 是一款高性能功率 MOSFET，具备多项关键特性以满足高可靠性应用需求。其最大漏-源电压为 900V，能够承受高压应力，适用于高压电源和开关系统。该器件的导通电阻 Rds(on) 最大为 0.45Ω，在 Vgs=10V 时具备较低的导通损耗，有助于提升整体能效。此外，该 MOSFET 支持高达 12A 的连续漏极电流（在 Tc=25℃ 下），确保其在中高功率应用中具备良好的电流承载能力。
　　IXFH12N90 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，可在高温环境下稳定运行。其栅-源电压范围为 ±20V，兼容多种驱动电路设计，确保栅极控制的灵活性与稳定性。该器件的总功耗为 300W，具备较强的热稳定性，适合在高负载条件下使用。
　　该 MOSFET 还具备快速开关能力，减少开关损耗，提升系统效率。其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适用于严苛环境条件下的工业和电力电子设备。此外，IXFH12N90 具有较高的短路耐受能力，有助于提高系统的可靠性与安全性。

IXFH12N90 广泛应用于多种高功率和高压系统中，例如工业电源、直流-直流转换器、电机驱动器、电焊机、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及高功率开关电路。由于其具备高耐压能力和较低的导通电阻，该器件在高压电源转换系统中表现尤为出色，可有效提升系统效率和稳定性。此外，IXFH12N90 在电动汽车充电设备、工业自动化控制以及电力调节系统中也有广泛应用。

IXFH15N90, IXFN12N90, STF9N90M, FCP9N90