时间：2025/4/30 9:59:32
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IPB025N10N3G是一款由Infineon（英飞凌）生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用N沟道增强型结构，主要设计用于高频开关应用和功率转换电路。其出色的导通电阻和较低的栅极电荷使得该器件在效率和速度方面表现出色，适用于各种工业和消费类电子产品中的电源管理。
该器件采用了TO-252 (DPAK)封装形式，这种封装方式能够提供良好的散热性能，并且便于表面贴装技术（SMT）生产。IPB025N10N3G的耐压值为100V，具有低导通电阻特性，同时具备快速开关能力，非常适合于DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。
最大漏源电压：100V
最大连续漏电流：2.5A
最大脉冲漏电流：7.5A
导通电阻（典型值）：180mΩ
栅极电荷：4nC
输入电容：420pF
总功耗：1.4W
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 超低导通电阻设计，在高电流密度下仍能保持高效运行。
2. 快速开关性能，能够降低开关损耗并提高系统效率。
3. 高可靠性，支持高温环境下的长期稳定运行。
4. 符合RoHS标准，环保无铅制造工艺。
5. 优化的热性能，确保器件在高功率应用场景中的稳定性。
6. 支持表面贴装工艺，简化生产和组装流程。
7. 内置ESD保护功能，提升抗静电能力。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机控制和驱动
4. LED照明驱动电路
5. 消费类电子产品的负载开关
6. 工业自动化设备中的功率管理模块
7. 电池管理系统（BMS）
IPP025N10N3G, IRF530, BUK7Y1R8-10E
