IXFN36N50 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高电压和高电流的电力电子设备中。该器件采用 TO-247 封装形式,具有较低的导通电阻和较高的热稳定性,适用于电源转换器、逆变器、马达控制和工业自动化系统等多种高功率应用场景。IXFN36N50 的设计使其在高工作电压下仍能保持良好的导通和开关性能。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流:36 A
最大漏源电压:500 V
导通电阻(Rds(on)):0.15 欧姆
栅极阈值电压:2.1 V ~ 4.0 V
最大功耗:200 W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TO-247
IXFN36N50 的主要特性之一是其高耐压能力,最大漏源电压可达 500 V,适用于高压电源系统的设计。该器件的低导通电阻(Rds(on))为 0.15 欧姆,有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外,IXFN36N50 具有良好的热稳定性和过载能力,可在高电流环境下稳定运行。其 TO-247 封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装和散热器的集成。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽,在 2.1 V 到 4.0 V 之间,适用于多种驱动电路设计。IXFN36N50 还具备快速开关能力,适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器和 PWM 控制系统。此外,其内部结构设计优化了电磁干扰(EMI)性能,有助于减少高频开关过程中产生的噪声干扰。
在可靠性方面,IXFN36N50 通过了严格的工业标准测试,能够在恶劣的工作环境下保持长期稳定运行。该器件的高耐压、低导通电阻和良好的热管理特性使其成为高功率应用的理想选择。
IXFN36N50 广泛应用于多种高功率电子设备中,包括工业电源、逆变器、马达驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及高频开关电源等。该器件的高耐压和低导通电阻特性使其特别适合用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器等电源转换系统。此外,IXFN36N50 还可用于工业自动化设备中的电机控制电路,实现高效的能量管理和精确的电机调速控制。在新能源领域,如电动汽车和太阳能发电系统中,该 MOSFET 可用于功率调节和能量存储系统的控制电路。
IXFH36N50P, IXFX36N50Q, IRFP460, STF35N50M