时间：2025/6/17 10:14:56
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SUD40N10-25-E3 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等电路中。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够在高频率下实现高效的功率转换。
这款 MOSFET 的额定电压为 100V，能够满足多种高压应用场景的需求，同时其大电流处理能力使得它在需要高效率和低功耗的应用中表现出色。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：40A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：78nC
总电容：690pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗并提升系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
3. 快速开关性能，适合高频应用环境。
4. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
5. 强大的过流保护功能，提升了系统的稳定性和安全性。
6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境下的应用需求。
7. 具备较高的电流承载能力，适用于高功率场景。
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制器件。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流开关。
6. 太阳能逆变器和其他新能源设备中的功率模块组件。
SUD40N10-25-E2, SUD40N10L-E3, IRFZ44N, FDP55N10
