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IMZA65R007M2H 发布时间 时间:2025/9/3 22:00:14 查看 阅读:11

IMZA65R007M2H 是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能碳化硅(SiC)MOSFET功率晶体管,适用于高效率、高频率的电力电子应用。该器件基于650V的漏源耐压设计,具备极低的导通电阻和开关损耗,特别适合用于电动车充电系统、光伏逆变器、服务器电源及工业电源转换系统。

参数

类型:碳化硅MOSFET
  额定电压:650V
  额定电流:70A
  导通电阻(Rds(on)):7mΩ
  封装形式:TO-247
  栅极电荷(Qg):100nC
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  短路耐受能力:6倍额定电流@10μs

特性

IMZA65R007M2H 的核心优势在于其碳化硅材料带来的卓越性能。首先,其7mΩ的导通电阻显著降低了导通损耗,使得在高负载条件下依然能保持较低的工作温度,提升整体系统的能效和可靠性。其次,该器件具备出色的开关特性,其低栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss)有助于实现更高的开关频率,从而减小外围电路的体积和重量,特别适合高功率密度的设计需求。
  此外,IMZA65R007M2H 采用TO-247封装,具备良好的热管理和机械稳定性,适用于各种严苛的工作环境。其高达175°C的工作温度上限,使得在高环境温度下仍能稳定运行,减少了对复杂散热系统的需求。该器件还具备优异的短路耐受能力,可在6倍额定电流下持续10μs,有效提升了系统的安全性和稳定性。

应用

IMZA65R007M2H 广泛应用于高效率电力电子系统中,特别是在需要高频率和高功率密度的场合。典型应用包括电动汽车车载充电器(OBC)、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、数据中心服务器电源、工业电机驱动以及各类高效率DC-DC转换器。其优异的开关性能和热管理能力,使得系统设计者能够在提高效率的同时减小系统体积,降低整体系统成本。

替代型号

Infineon IMZ120R007M1H、Wolfspeed C3M0065070K、STMicroelectronics SCT3040KL、ON Semiconductor NVHL065N070SC1

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