类型：碳化硅MOSFET
　　额定电压：650V
　　额定电流：70A
　　导通电阻（Rds(on)）：7mΩ
　　封装形式：TO-247
　　栅极电荷（Qg）：100nC
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　短路耐受能力：6倍额定电流@10μs

IMZA65R007M2H 的核心优势在于其碳化硅材料带来的卓越性能。首先，其7mΩ的导通电阻显著降低了导通损耗，使得在高负载条件下依然能保持较低的工作温度，提升整体系统的能效和可靠性。其次，该器件具备出色的开关特性，其低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）有助于实现更高的开关频率，从而减小外围电路的体积和重量，特别适合高功率密度的设计需求。
　　此外，IMZA65R007M2H 采用TO-247封装，具备良好的热管理和机械稳定性，适用于各种严苛的工作环境。其高达175°C的工作温度上限，使得在高环境温度下仍能稳定运行，减少了对复杂散热系统的需求。该器件还具备优异的短路耐受能力，可在6倍额定电流下持续10μs，有效提升了系统的安全性和稳定性。

IMZA65R007M2H 广泛应用于高效率电力电子系统中，特别是在需要高频率和高功率密度的场合。典型应用包括电动汽车车载充电器（OBC）、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、数据中心服务器电源、工业电机驱动以及各类高效率DC-DC转换器。其优异的开关性能和热管理能力，使得系统设计者能够在提高效率的同时减小系统体积，降低整体系统成本。

Infineon IMZ120R007M1H、Wolfspeed C3M0065070K、STMicroelectronics SCT3040KL、ON Semiconductor NVHL065N070SC1