类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：60V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：75V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大总耗散功率（Ptot）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：100 至 400（典型值，测试条件IC = 10mA）
　　过渡频率（fT）：200MHz
　　最大工作结温（Tj）：150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

Q4L1 ES晶体管具备优异的小信号放大与开关特性，适用于多种低功率模拟和数字电路应用。其直流电流增益（hFE）范围为100至400，在IC = 10mA的典型工作条件下表现出稳定的增益性能，确保了在不同批次间的一致性和可靠性。这种高增益特性使得该晶体管能够在低输入信号下实现有效放大，适用于前置放大器、音频信号处理和传感器信号调理等场景。器件的过渡频率（fT）高达200MHz，表明其在高频应用中仍能保持良好的响应能力，适合用于射频小信号放大或高速开关电路。其最大集电极电流为100mA，足以驱动小型继电器、LED指示灯或逻辑门电路，同时避免过大的功耗和发热问题。
　　Q4L1 ES采用SOT-23小型表面贴装封装，尺寸紧凑（约2.8mm x 1.9mm x 1.1mm），非常适合高密度PCB布局，尤其适用于便携式电子设备中的空间优化设计。该封装具有良好的热传导性能和机械稳定性，支持自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。器件的最大集电极-发射极电压为60V，使其可在多种低压直流电源系统中安全运行，例如3.3V、5V或12V供电环境。此外，其最大总功耗为300mW，在正常工作条件下无需额外散热措施即可稳定运行。
　　该晶体管的工作结温范围为-55°C至+150°C，能够在极端环境温度下保持可靠性能，适用于工业控制、汽车电子外围电路以及户外电子设备等严苛应用场景。所有电气参数均在严格的质量控制流程下进行测试，确保产品符合AEC-Q101等可靠性标准（视具体批次而定）。Q4L1 ES还具备良好的饱和压降特性，在开关模式下可实现较低的导通损耗，提高系统能效。其发射极-基极电压额定值为6V，允许在一定的反向偏置条件下安全操作，增强了电路设计的灵活性。总体而言，Q4L1 ES以其高性能、高可靠性和低成本优势，成为现代电子设计中广泛应用的基础元器件之一。

Q4L1 ES晶体管广泛应用于各类低功率电子电路中，主要涵盖小信号放大、数字开关控制、电平转换、LED驱动以及传感器接口等领域。在消费类电子产品中，它常用于智能手机和平板电脑中的电源开关、背光控制电路或按键检测电路，利用其快速开关响应和低驱动电流需求实现高效节能的设计。在便携式设备中，该晶体管可用于电池供电系统的负载开关，通过微控制器信号控制外围模块的供电通断，从而延长电池续航时间。
　　在工业自动化和嵌入式系统中，Q4L1 ES可用于光电传感器、接近开关或温度传感器的信号放大与整形电路，将微弱的模拟信号转换为清晰的数字电平供MCU读取。其高增益和低噪声特性有助于提升传感精度和系统稳定性。此外，该器件也适用于音频前置放大器电路，尤其是在低频段（如语音频段）的小信号放大任务中表现良好。
　　在通信设备中，Q4L1 ES可用于射频前端的小信号放大或调制解调电路，凭借其200MHz的过渡频率支持VHF频段以下的应用。它也可作为逻辑电平转换器使用，在不同电压域之间（如3.3V与5V系统之间）传递控制信号，保护主控芯片免受过高电压影响。
　　其他常见应用还包括继电器驱动、马达启停控制（适用于小型直流马达）、多谐振荡器、脉冲发生器以及电源管理单元中的反馈控制回路。由于其SOT-23封装易于自动化装配，因此在大规模生产中具有显著的成本和效率优势。无论是原型开发还是批量制造，Q4L1 ES都提供了稳定可靠的性能基础，是电子工程师构建基础功能电路的重要选择之一。

MMBT3904
　　2N3904
　　BC817-40
　　FMMT491