MTP4N90 时间：2025/7/17 18:33:40 阅读：6

MTP4N90 是一款由 MagnaChip 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于电源管理和开关应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热性能，适用于多种中高功率电子系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：900V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：4A（在TC=100℃）
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-220

特性

MTP4N90 具有出色的导通性能和高效的开关能力，其主要特性包括：
　　1. 高耐压：最大漏极-源极电压为900V，使得它适合应用于高电压环境，如电源适配器和工业控制系统。
　　2. 低导通电阻(RDS(on))：确保器件在导通状态下的损耗最小化，提高整体系统的效率。
　　3. 热稳定性好：采用高性能封装技术，能有效散发热量，保证长期运行的可靠性。
　　4. 抗雪崩能力强：能够承受一定程度的过载和瞬态能量冲击，提高了设备的安全性。
　　5. 快速恢复时间：具备优良的开关特性，适合高频操作的应用场景。
　　6. 宽栅极电压范围：允许使用标准驱动电路控制，简化了外围电路的设计。

应用

MTP4N90 被广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)：例如充电器、AC/DC转换器等设备中的功率开关元件。
　　2. 电机控制：在变频调速或直流无刷电机控制系统中作为主开关器件。
　　3. 工业自动化：用于继电器替代方案、固态继电器(SSR)及负载切换模块。
　　4. LED照明：作为恒流驱动电路的一部分，提供稳定的光源输出。
　　5. 家用电器：如空调、洗衣机等需要高效能功率管理的产品。
　　6. 电信基础设施：在基站电源、UPS不间断电源等场合发挥关键作用。