时间：2025/6/21 18:10:56
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FM18N102J101PSG 是一款由富满微电子（Fullmoon Microelectronics）生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种功率转换和开关应用。
该器件采用先进的半导体制造工艺，确保在高频工作条件下仍能保持高效的性能表现。其封装形式为 SOT-23 封装，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻（典型值）：150mΩ
栅极电荷：4nC
总电容（输入电容）：12pF
开关速度：50ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FM18N102J101PSG 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，减少功率损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适合高频电路设计。
3. 良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
4. 小型 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
5. 提供出色的 ESD 保护，增强系统鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 负载开关和电池管理。
4. LED 驱动器和背光调节。
5. 便携式设备中的电源管理模块。
6. 信号切换和保护电路。
IRLZ44N, AO3400, FDN340P
