时间：2025/12/23 13:51:32
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HH18N2R2D500CT是一种高压、高频、高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而提高了效率并降低了功耗。
该型号属于高压N沟道增强型MOSFET，其封装形式为TO-247，适合高电流和高电压的应用场景。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
导通电阻：2.2mΩ
栅极电荷：65nC
总电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
开关频率：高达1MHz
封装形式：TO-247
HH18N2R2D500CT具备以下主要特性：
1. 高压性能：支持最高500V的漏源电压，适用于各种高压应用场景。
2. 低导通电阻：仅为2.2mΩ，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关能力：具备较小的栅极电荷和总电容，可实现高速开关操作，减少开关损耗。
4. 高温适应性：能够在-55℃至175℃的工作温度范围内稳定运行，满足极端环境下的使用需求。
5. 热稳定性：采用高效的散热设计和大功率封装，确保长时间稳定运行。
6. 抗雪崩能力：支持雪崩能量吸收，增强了器件在异常情况下的可靠性。
7. TO-247封装：提供良好的电气特性和散热性能，便于安装和维护。
HH18N2R2D500CT适用于多种工业和消费类电子设备中，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关元件，用于高效功率转换。
2. 电机驱动：控制直流无刷电机或其他类型的电机。
3. 逆变器：用于太阳能逆变器或UPS不间断电源中的功率转换。
4. LED驱动器：提供高效率的LED照明解决方案。
5. 工业自动化：用于工业控制器和机器人中的功率管理。
6. 充电器：应用于笔记本电脑、手机等便携式设备的快速充电器中。
IRFP460,
FDP18N50,
STW92N50,
IXTH18N50P
