时间：2025/9/15 0:06:56
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PMV48XPAR是一款由Nexperia（安世半导体）制造的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于低电压和中等功率应用。该器件采用了先进的Trench工艺技术，提供了较低的导通电阻和较高的能效，适合用于电源管理、负载开关和电机控制等场景。
类型：P沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：-20V
栅极-源极电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：-4.8A
导通电阻（Rds(on)）：33mΩ（在Vgs = -4.5V时）
功率耗散（Ptot）：1.4W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT223
PMV48XPAR MOSFET采用先进的Trench技术，使其在低电压应用中表现出色，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力。其P沟道结构适用于高边开关应用，例如在电源管理和电池供电设备中作为负载开关使用。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持-12V至+12V，这使得它能够兼容多种控制电路。此外，PMV48XPAR具有良好的热稳定性和较低的开关损耗，有助于提高系统的整体效率。
由于其SOT223封装形式，PMV48XPAR具有较好的散热性能，适合在空间受限的PCB设计中使用。这种封装方式也使其具备较高的机械稳定性和易于自动化装配的特点。
该MOSFET还具备良好的抗静电（ESD）能力，能够在一定程度上抵御静电放电带来的损坏，从而提高系统的可靠性和使用寿命。
PMV48XPAR广泛应用于多个领域，特别是在需要高效能、小尺寸封装的场合。其主要应用包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中的高边开关。
在电源管理方面，PMV48XPAR可用于电池供电设备的电源切换，例如笔记本电脑、平板电脑和智能移动设备中的电源管理模块。其低导通电阻可以减少能量损耗，提高能效。
在DC-DC转换器中，该器件可以作为同步整流器或主开关使用，以提高转换效率并减少发热。此外，在电机控制电路中，PMV48XPAR可用于控制直流电机的启停和方向，提供稳定的开关性能。
由于其良好的热特性和紧凑的封装，PMV48XPAR也非常适合用于空间受限的嵌入式系统和工业控制设备中，例如PLC（可编程逻辑控制器）和自动化设备中的电源管理模块。
Si2301DS, AO4407A, FDC6303
