时间：2025/9/7 14:09:11
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HVU355BTRF是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的高压MOSFET晶体管，专为高效率电源转换应用设计。这款晶体管采用先进的功率MOSFET技术，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适用于需要高可靠性和高效率的电力电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
连续漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：55nC（典型）
封装：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
HVU355BTRF具有较低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。该器件的高击穿电压能力使其适用于高电压输入环境，例如工业电源和照明系统。此外，它具备出色的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关电源应用。其封装设计有助于有效散热，延长设备使用寿命并提高系统可靠性。TO-220封装也便于在PCB上安装和散热片连接，适合高功率应用。
在保护特性方面，HVU355BTRF具有过热保护和雪崩击穿耐受能力，确保在极端条件下仍能安全运行。这些特性使其成为各种高压电源转换应用的理想选择。
HVU355BTRF广泛应用于各种高压和高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、工业自动化设备以及电源管理系统。此外，它还适用于高电压电池充电器、电机控制电路以及太阳能逆变器等需要高效率功率转换的场合。
HVU355BTRF的替代型号包括HVU355BR6、IRFBC30、STW20NM60ND、FQP10N60C。
