HVU355BTRF是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的高压MOSFET晶体管,专为高效率电源转换应用设计。这款晶体管采用先进的功率MOSFET技术,具有较低的导通电阻和优异的热性能,适用于需要高可靠性和高效率的电力电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):600V
连续漏极电流(ID):10A
导通电阻(RDS(on)):0.45Ω(最大)
栅极电荷(Qg):55nC(典型)
封装:TO-220
工作温度范围:-55°C至150°C
HVU355BTRF具有较低的导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高整体效率。该器件的高击穿电压能力使其适用于高电压输入环境,例如工业电源和照明系统。此外,它具备出色的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行。
该MOSFET还具有快速开关特性,适用于高频开关电源应用。其封装设计有助于有效散热,延长设备使用寿命并提高系统可靠性。TO-220封装也便于在PCB上安装和散热片连接,适合高功率应用。
在保护特性方面,HVU355BTRF具有过热保护和雪崩击穿耐受能力,确保在极端条件下仍能安全运行。这些特性使其成为各种高压电源转换应用的理想选择。
HVU355BTRF广泛应用于各种高压和高功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、LED照明驱动器、工业自动化设备以及电源管理系统。此外,它还适用于高电压电池充电器、电机控制电路以及太阳能逆变器等需要高效率功率转换的场合。
HVU355BTRF的替代型号包括HVU355BR6、IRFBC30、STW20NM60ND、FQP10N60C。