容量：1 Mbit
　　组织方式：128K × 8 / 64K × 16
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　最大存取时间：55ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：56-pin TSOP Type II
　　引脚间距：0.8mm
　　数据总线宽度：8/16 位可选
　　待机电流（CMOS）：典型值 2μA
　　工作电流：典型值 35mA
　　输入电平：TTL/CMOS 兼容
　　写使能控制：WE# 控制写操作
　　片选信号：CE1#, CE2 支持片选逻辑
　　输出使能：OE# 控制输出三态
　　地址建立时间：≥ 0ns
　　地址保持时间：≥ 0ns

CY62167EV18LL-55BVI 具备多项关键特性，使其在中高速静态存储器应用中表现出色。首先，该器件采用全静态 CMOS 架构，意味着只要供电持续，数据即可永久保持而无需周期性刷新操作，极大简化了系统设计复杂度并提升了数据可靠性。其核心特性之一是双组织结构支持，用户可通过硬件配置选择 128K × 8 或 64K × 16 的数据组织方式，从而灵活适配不同系统的数据总线需求，无论是 8 位微控制器还是 16 位处理器系统均可兼容使用。这种灵活性减少了额外逻辑电路的需求，有助于降低整体 BOM 成本和 PCB 占用面积。
　　该芯片具有 55ns 的快速存取能力，能够在高频系统时钟下实现无缝数据读写，满足大多数中速嵌入式系统的性能要求。同时，其三态输出结构与 OE#（输出使能）引脚配合，允许将多个 SRAM 器件共享同一数据总线，实现高效的多设备总线管理，特别适用于需要扩展存储容量或多外设共存的系统架构。片选逻辑支持 CE1# 和 CE2 输入，增强了地址译码的灵活性，便于构建复杂的存储映射系统。
　　在功耗方面，CY62167EV18LL-55BVI 表现出优异的节能特性。正常工作电流典型值为 35mA，而在待机模式下，CMOS 待机电流低至 2μA，显著延长了电池供电设备的工作时间，适用于便携式仪器或远程监控终端等对能耗敏感的应用场景。器件还具备 TTL/CMOS 输入电平兼容性，能够直接与多种数字逻辑器件接口连接，无需电平转换电路，进一步简化了系统集成过程。此外，该芯片采用无铅环保封装（符合 RoHS 标准），适应现代绿色电子制造趋势，并具备良好的热稳定性和抗噪声干扰能力，确保在恶劣工业环境中仍能稳定运行。

CY62167EV18LL-55BVI 被广泛应用于多种需要可靠、快速、非易失性缓存或临时数据存储的电子系统中。在通信领域，它常被用于路由器、交换机和基站设备中作为数据包缓冲区或协议处理缓存，利用其高速读写能力和低延迟特性提升数据吞吐效率。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制卡中，存储实时采集的数据、控制指令或中间运算结果，保障系统响应的及时性和准确性。网络设备如防火墙、网关和 IP 摄像头也常采用此类 SRAM 来支持视频流暂存、帧缓冲或加密算法中间变量存储。
　　在消费类电子产品中，CY62167EV18LL-55BVI 可用于打印机、扫描仪、多功能办公设备以及智能家电的主控板上，作为固件执行缓存或图形渲染缓冲区。在测试与测量仪器如示波器、频谱分析仪中，该芯片用于高速采样数据的临时存储，以便后续处理或显示。嵌入式系统开发者也常将其用于基于 ARM、PowerPC 或 DSP 的开发平台中，作为外部扩展内存，弥补片内 RAM 容量不足的问题。由于其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）和高可靠性设计，该器件同样适用于车载电子、航空航天地面设备及户外监控等严苛环境下的应用。此外，在医疗设备如便携式监护仪、超声成像前端模块中，该 SRAM 提供了稳定的数据暂存能力，确保生命体征信号采集的连续性和完整性。

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　　 "CY62167EV30LL-70BVI",
　　 "CY62167EV45LL-45BVI",
　　 "IS62WVS1288AL-55BLI",
　　 "IS62WVS12816AL-55BLI",
　　 "M6MGLS1AKP-55P"
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