时间：2025/5/29 9:05:59
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IKW50N60H3 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于工业、汽车和消费电子领域中的各种功率转换应用。其典型应用场景包括 DC-DC 转换器、电机驱动器和开关电源等。
该 MOSFET 的设计注重高效能表现，能够在高频开关条件下提供出色的性能和可靠性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：50A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：49nC
开关时间：ton=98ns, toff=76ns
功耗：350W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IKW50N60H3 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：600V 的漏源电压使其能够适应高压应用环境。
2. 低导通电阻：仅为 0.18Ω，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能：极小的栅极电荷（49nC）确保了快速的开关速度，减少开关损耗。
4. 热稳定性强：能够在高达 175℃ 的结温下正常工作，适用于高温工况。
5. 高电流承载能力：50A 的连续漏极电流可满足大功率应用需求。
6. 小尺寸封装：TO-247 封装既保证散热性能又节省空间。
IKW50N60H3 主要应用于以下领域：
1. 工业设备中的开关电源和逆变器。
2. 汽车电子中的负载切换和电机控制。
3. 消费电子产品中的 DC-DC 转换器和适配器。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 各种需要高性能功率管理的场景，例如不间断电源 (UPS) 和电池管理系统 (BMS)。
IKW50N60E3, IRFP460, STW11NM60
