类型：DRAM
　　存储容量：128MB
　　数据总线宽度：16位
　　封装类型：FBGA
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　时钟频率：166MHz
　　封装尺寸：54-TFBGA

H5MS1G22BFR-J3M DRAM芯片具备多种显著特性，包括高性能的同步接口，支持高速数据存取，适用于需要快速处理数据的应用。其166MHz的时钟频率确保了数据传输的高效性，同时16位的数据总线宽度能够提升数据吞吐量。该芯片采用低功耗设计，能够在保持高性能的同时减少能耗，适用于对功耗敏感的设备。FBGA封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能和电气性能，使其在复杂环境中保持稳定运行。此外，该芯片的工作温度范围较宽，可在-40°C至+85°C之间正常运行，适合工业级应用。
　　这款DRAM芯片还具备较高的可靠性和稳定性，能够长时间运行而不会出现明显的性能下降。其标准的接口设计使得与其他系统的集成变得更加简单，减少了开发周期和复杂度。由于其广泛的应用兼容性，H5MS1G22BFR-J3M可以作为多种设备的内存解决方案，提供高效的存储能力。同时，由于其来自SK Hynix这样的知名存储芯片制造商，用户可以获得良好的技术支持和长期的供货保障。

H5MS1G22BFR-J3M 主要应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的设备中。常见应用包括但不限于嵌入式系统、工业计算机、网络路由器和交换机、消费类电子产品（如数字电视和机顶盒）、图像处理设备以及便携式电子设备。在这些应用中，该芯片能够提供稳定、高效的内存支持，确保系统的顺畅运行。

H5MS1G22BFR-J3C, H5MS1G22EFR-J3M, H5MS1G22CMR-J3M