时间：2025/4/25 18:08:23
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VND830是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用TO-220封装形式，具备高电流承载能力和低导通电阻的特点，能够在高频开关条件下提供高效的性能表现。
该晶体管的设计使其能够承受较高的漏源电压，并且具有较低的栅极电荷需求，这有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。
最大漏源电压(Vds)：80V
最大漏极电流(Id)：30A
最大功耗(Pd)：140W
栅源开启电压(Vgs(th))：2.1V~4.0V
导通电阻(Rds(on))：0.018Ω（在Vgs=10V时）
工作温度范围(Tj)：-55℃~150℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可显著降低传导损耗，提升能效。
2. 高电流处理能力，适用于大功率应用场合。
3. 较低的栅极电荷(Qg)，减少了开关过程中的能量损失。
4. 提供快速的开关速度，适合高频电路设计。
5. 具备出色的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
6. TO-220标准封装形式，便于安装与散热管理。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动控制电路，包括直流无刷电机和步进电机驱动。
3. 各种负载切换和保护电路，例如电池管理系统(BMS)。
4. LED驱动器中的关键功率级组件。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF840, STP30NF10, FDN367N
