时间：2025/9/7 0:14:41
阅读：26
HZM10NB1TR是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET。该器件主要用于高效率的电源管理、电机控制、DC-DC转换器和负载开关等应用。其封装形式为小型表面贴装型，适用于空间受限的设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
漏极电流（Id）：5.6A
导通电阻（Rds(on)）：0.23Ω @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±20V
功率耗散（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSMT6
HZM10NB1TR具有低导通电阻特性，有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件适用于多种高频率开关电源设计。
该MOSFET采用小型TSMT6封装，节省电路板空间，同时便于自动化装配。此外，HZM10NB1TR具有良好的热稳定性，可以在较高的工作温度下稳定运行，提升了系统的可靠性。
该器件还具备较高的栅极耐压能力（±20V），在复杂的电气环境中能够提供更强的抗干扰能力，避免栅极击穿风险。
罗姆的HZM10NB1TR在设计中优化了开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，适合用于高频DC-DC转换器、LED驱动器和电池管理系统等应用场景。
HZM10NB1TR广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动器、负载开关、LED照明驱动电路以及便携式电子设备的功率控制电路。由于其小型封装和高效率特性，也适用于需要紧凑布局的工业自动化设备和汽车电子系统。
HZM10NB1TR的替代型号包括SiSS10DN、FDMS8880、AO4406A、FDN340P
