时间：2025/9/1 16:12:16
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H9HCNNN8KUMLHR-ULN 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为高性能计算、移动设备和低功耗应用设计。H9HCNNN8KUMLHR-ULN 采用了先进的制造工艺，具有较高的存储密度和较低的功耗，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他需要高性能内存的电子设备。
容量：8GB
类型：LPDDR4 SDRAM
封装类型：BGA
工作电压：1.1V
数据传输速率：3200Mbps
接口：x16
工作温度范围：-40°C ~ 85°C
封装尺寸：9mm x 13mm
内存架构：DRAM
H9HCNNN8KUMLHR-ULN 是一款面向高性能计算和移动设备的 LPDDR4 存储芯片，具备低功耗与高带宽的双重优势。其主要特性之一是其3200Mbps的数据传输速率，使得该芯片在处理高清视频、图形密集型游戏以及多任务处理时表现出色。此外，该芯片的工作电压为1.1V，相较于前代LPDDR3产品，功耗显著降低，从而提高了能效，延长了设备的电池续航时间。
另一个关键特性是其8GB的存储容量，能够满足现代智能设备对大容量内存的需求，特别是在多任务处理、大型应用运行和后台服务管理方面表现出色。H9HCNNN8KUMLHR-ULN 采用了9mm x 13mm的小型BGA封装形式，具有良好的热管理和空间利用率，适合嵌入式设备及高密度PCB布局。
H9HCNNN8KUMLHR-ULN 主要用于需要高性能内存的设备，如旗舰级智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式计算系统以及车载信息娱乐系统（IVI）。由于其高带宽和低功耗特性，它也非常适合用于人工智能边缘计算设备、AR/VR头显设备以及便携式医疗设备等对性能和能效均有较高要求的应用场景。
H9HCNNN8KUMUDR-NF, H9HCNNN8KUMUBR-NE
