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IXFA180N10T2-TRL 发布时间 时间:2025/8/5 21:04:13 查看 阅读:25

IXFA180N10T2-TRL是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET晶体管,设计用于高电流和高频率的应用场景。这款MOSFET具有优异的导通性能和开关特性,适用于工业电源、电动汽车、太阳能逆变器、电机驱动和电源管理系统等高功率应用领域。IXFA180N10T2-TRL采用了TO-263(D2Pak)封装形式,具备良好的热管理和机械稳定性,适合表面贴装技术(SMT)进行组装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):180A
  最大功耗(Pd):300W
  导通电阻(Rds(on)):5.2mΩ
  栅极电荷(Qg):230nC
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-263(D2Pak)

特性

IXFA180N10T2-TRL具备低导通电阻(Rds(on))特性,这有助于减少导通损耗并提高系统的整体效率。该器件的高电流容量使其能够在极端负载条件下保持稳定运行,同时具备良好的热稳定性,适用于高温工作环境。其高栅极电荷值(Qg)意味着在开关过程中需要更多的驱动功率,但也带来了更平稳的开关过程,减少了电磁干扰(EMI)。此外,该MOSFET具有出色的雪崩能量耐受能力,能够在过压或负载突变情况下提供额外的保护。TO-263封装提供了良好的散热性能,确保在高功率应用中保持较低的结温,从而延长器件寿命。
  该器件还具有快速开关特性,适合高频开关应用,如DC-DC转换器、PWM电机控制和高频逆变器等。此外,IXFA180N10T2-TRL的封装设计兼容标准SMT组装工艺,便于自动化生产和高效制造。其内部结构采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提高了载流能力和可靠性,同时减少了寄生电感和电容,从而提升了高频性能。

应用

IXFA180N10T2-TRL广泛应用于高功率和高效率的电力电子系统中,包括但不限于工业电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车动力系统、电池管理系统(BMS)、大功率DC-DC转换器以及高频开关电源。该MOSFET也适用于需要高电流承载能力的负载开关、电源分配系统和工业自动化设备中的功率控制模块。此外,由于其高可靠性和优异的热管理能力,IXFA180N10T2-TRL也可用于汽车电子系统、电力储能装置和工业级功率放大器等应用场景。

替代型号

IXFH180N10P3-TRL、IXFN180N10T-TRL、STP180N10F7-1

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IXFA180N10T2-TRL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格800 : ¥34.67509卷带(TR)
  • 系列HiPerFET?, TrenchT2?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)180A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)185 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)10500 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)480W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263(D2Pak)
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB