IXFA180N10T2-TRL是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET晶体管,设计用于高电流和高频率的应用场景。这款MOSFET具有优异的导通性能和开关特性,适用于工业电源、电动汽车、太阳能逆变器、电机驱动和电源管理系统等高功率应用领域。IXFA180N10T2-TRL采用了TO-263(D2Pak)封装形式,具备良好的热管理和机械稳定性,适合表面贴装技术(SMT)进行组装。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):180A
最大功耗(Pd):300W
导通电阻(Rds(on)):5.2mΩ
栅极电荷(Qg):230nC
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-263(D2Pak)
IXFA180N10T2-TRL具备低导通电阻(Rds(on))特性,这有助于减少导通损耗并提高系统的整体效率。该器件的高电流容量使其能够在极端负载条件下保持稳定运行,同时具备良好的热稳定性,适用于高温工作环境。其高栅极电荷值(Qg)意味着在开关过程中需要更多的驱动功率,但也带来了更平稳的开关过程,减少了电磁干扰(EMI)。此外,该MOSFET具有出色的雪崩能量耐受能力,能够在过压或负载突变情况下提供额外的保护。TO-263封装提供了良好的散热性能,确保在高功率应用中保持较低的结温,从而延长器件寿命。
该器件还具有快速开关特性,适合高频开关应用,如DC-DC转换器、PWM电机控制和高频逆变器等。此外,IXFA180N10T2-TRL的封装设计兼容标准SMT组装工艺,便于自动化生产和高效制造。其内部结构采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提高了载流能力和可靠性,同时减少了寄生电感和电容,从而提升了高频性能。
IXFA180N10T2-TRL广泛应用于高功率和高效率的电力电子系统中,包括但不限于工业电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车动力系统、电池管理系统(BMS)、大功率DC-DC转换器以及高频开关电源。该MOSFET也适用于需要高电流承载能力的负载开关、电源分配系统和工业自动化设备中的功率控制模块。此外,由于其高可靠性和优异的热管理能力,IXFA180N10T2-TRL也可用于汽车电子系统、电力储能装置和工业级功率放大器等应用场景。
IXFH180N10P3-TRL、IXFN180N10T-TRL、STP180N10F7-1